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资料编号:547729
 
资料名称:PHP225
 
文件大小: 119.81K
   
说明
 
介绍:
Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 六月 20 2
飞利浦 半导体 产品 规格
双 p-频道 增强
模式 mos 晶体管
PHP225
特性
高-速 切换
非 secondary 损坏
非常 低 在-阻抗.
产品
发动机 和 actuator 驱动器
电源 管理
同步 整流.
描述
二 p-频道 增强 模式 mos 晶体管 在 一个
8-管脚 塑料 sot96-1 (so8) 包装.
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装.
这 门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
固定 - sot96-1 (so8)
管脚 标识 描述
1s
1
源 1
2g
1
门 1
3s
2
源 2
4g
2
门 2
5d
2
流 2
6d
2
流 2
7d
1
流 1
8d
1
流 1
图.1 simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
d
MAM119
1
4
58
gs
d
1
1
1
1
d
gs
d
2
2
2
2
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 p-频道
V
DS
流-源 电压 (直流)
−−
30 V
V
SD
源-流 二极管 向前 电压 I
S
=
1.25 一个
−−
1.6 V
V
GSO
门-源 电压 (直流) 打开 流
−±
20 V
V
GSth
门-源 门槛 电压 I
D
=
1 毫安; v
DS
=V
GS
1
2.8 V
I
D
流 电流 (直流)
−−
2.3 一个
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 I
D
=
1 一个; v
GS
=
10 V
0.25
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
=80
°
C
2W
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