飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP125N06T
标准 水平的 场效应晶体管
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DR
持续的 反转 流 - - 75 一个
电流
I
DRM
搏动 反转 流 电流 - - 240 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 25 一个; v
GS
= 0 v - 0.85 1.2 V
I
F
= 75 一个; v
GS
= 0 v - 1.0 - V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 75 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 65 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= -10 v; v
R
= 30 v - 0.18 -
µ
C
avalanche 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 75 一个; v
DD
≤
25 v; - - 500 mJ
unclamped inductive 转变-止 V
GS
= 10 v; r
GS
= 50
Ω
; t
mb
= 25 ˚c
活力
12月 1997 3 rev 1.100