1998 微芯 技术 公司 ds40175a-页 11
非易失存储器 记忆 程序编制 规格
4.0 程序/核实 模式 电的 特性
表格 4-1: 交流/直流 特性
定时 (所需的)东西 为 程序/核实 测试 模式
标准 运行 情况
运行 温度: +10
°
C
≤
T
一个
≤
+40
°
c, 除非 否则 陈述, (25
°
c 是 推荐)
运行 电压: 4.5v
≤
V
DD
≤
5.5v, 除非 否则 陈述.
参数
非.
sym. 典型的 最小值 典型值 最大值 单位 情况
一般
PD1 V
DDP
供应 电压 在 程序编制 4.75 5.0 5.25 V
PD2 I
DDP
供应 电流 (从 v
DD
)
在 程序编制
20 毫安
PD3 V
DDV
供应 电压 在 核实 V
DD
最小值 V
DD
最大值 V 便条 1
PD4 V
IHH
1 电压 在 mclr/v
PP
在
程序编制
12.75 13.25 V 便条 2
PD5 V
IHH
2 电压 在 mclr/v
PP
在 核实 V
DD
+ 4.0 13.5
PD6 I
PP
程序编制 供应 电流 (从
V
PP
)
50 毫安
PD9 V
IH
1 (gp0, gp1) 输入 高 水平的 0.8 v
DD
V 施密特 触发 输入
PD8 V
IL
1 (gp0, gp1) 输入 低 水平的 0.2 v
DD
V 施密特 触发 输入
串行 程序 核实
P1 T
R
mclr/v
PP
上升 时间 (v
SS
至 v
IHH
)
为 测试 模式 entry
8.0
µ
s
P2 Tf MCLR
下降 时间 8.0
µ
s
P3 Tset1 数据 在 建制 时间 在之前 时钟
↓
100 ns
P4 Thld1 数据 在 支撑 时间 之后 时钟
↓
100 ns
P5 Tdly1 数据 输入 不 驱动 至 next 时钟
输入 (延迟 必需的 在 com-
mand/数据 或者 command/command)
1.0
µ
s
P6 Tdly2 延迟 在 时钟
↓
至 时钟
↑
的
next command 或者 数据
1.0
µ
s
P7 Tdly3 时钟
↑
至 数据 输出 有效的
(在 读 数据)
200 ns
P8 Thld0 支撑 时间 之后 v
DD
↑
2
µ
s
P9 T
PPDP
支撑 时间 之后 v
PP
↑
5
µ
s
便条 1: 程序 必须 是 verified 在 这 最小 和 最大 v
DD
限制 为 这 部分.
便条 2: V
IHH
必须 是 更好 比 v
DD
+ 4.5v 至 停留 在 程序编制/核实 模式.
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