1999 Apr 27 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 切换 晶体管 pmbt2907; pmbt2907a
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
50 V
PMBT2907
−−
20 nA
PMBT2907A
−−
10 nA
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
50 v; t
j
= 125
°
C
PMBT2907
−−
20
µ
一个
PMBT2907A
−−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
0.1 毫安; v
CE
=
−
10 V
PMBT2907 35
−
PMBT2907A 75
−
直流 电流 增益 I
C
=
−
1 毫安; v
CE
=
−
10 V
PMBT2907 50
−
PMBT2907A 100
−
直流 电流 增益 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
10 V
PMBT2907 75
−
PMBT2907A 100
−
直流 电流 增益 I
C
=
−
150 毫安; v
CE
=
−
10 V 100 300
直流 电流 增益 I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
10 V
PMBT2907 30
−
PMBT2907A 50
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
400 mV
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
1.6 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
1.3 V
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
2.6 V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−
8pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
2 v; f = 1 MHz
−
30 pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
50 毫安; v
CE
=
−
20 v; f = 100 MHz 200
−
MHz