8月 1999 6 Rev 1.100
飞利浦 半导体 产品 规格
psmn015-100b; psmn015-100pn-频道 trenchmos
(tm)
晶体管
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
); 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
)
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
R
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
)
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; t
j
= 25 ˚c
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
门-源 电压, vgs (v)
流 电流, id (一个)
vds > id x rds(在)
tj = 25 c
175 c
门槛 电压, vgs(至) (v)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
接合面 温度, tj (c)
典型
最大
最小
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
175 c
vds > id x rds(在)
流 电流, id (一个)
1.0e-06
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
门-源 电压, vgs (v)
最小
典型
最大
normalised 在-状态 阻抗
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
接合面 温度, tj (c)
100
1000
10000
0.1 1 10 100
流-源 电压, vds (v)
capacitances, ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
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