8月 1999 7 Rev 1.100
飞利浦 半导体 产品 规格
psmn015-100b; psmn015-100pn-频道 trenchmos
(tm)
晶体管
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性
V
GS
= f(q
G
)
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15. 最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比 avalanche 时间 (t
AV
);
unclamped inductive 加载
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0 102030405060708090100110120
门 承担, q
G
(nc)
门-源 电压, v
GS
(v)
id = 75a
tj = 25 c
vdd = 20 v
vdd = 80 v
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10
avalanche 时间, t
AV
(ms)
最大 avalanche 电流, i
作
(一个)
tj 较早的 至 avalanche = 150 c
25 c
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
175 c
vgs = 0 v