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developmental 数据 薄板 2 2003-12-05
developmental ptf080601
直流 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
典型的 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏电压 V
GS
= 0V, i
DS
= 10 µa V
(br)dss
— 65 — V
流 泄漏 电流 V
DS
= 28V, v
GS
= 0V I
DSS
— 1.0 — µA
在-状态 阻抗 V
GS
= 10V, i
DS
= 1 一个 R
ds(在)
— 0.1 —
Ω
运行 门电压 V
DS
= 28V, i
DQ
= 550 毫安 V
GS
— 3.2 — V
门 泄漏 电流 V
GS
= 10V, v
DS
= 0V I
GSS
— — 1.0 µA
最大 比率
参数 标识 值 单位
流-源电压 V
DSS
65 V
门-源电压 V
GS
–0.5 至 +12 V
接合面Temperature T
J
200 °C
Total 设备 消耗 PTF080601A P
D
180 W
在之上 25°c 减额 用 1.03 w/°c
Total 设备 消耗 PTF080601E P
D
195 W
在之上 25°c 减额 用 1.11 w/°c
存储Temperature 范围 T
STG
–40 至 +150 °C
热的 阻抗 (t
情况
= 70°c) PTF080601A R
θ
JC
0.972 °c/w
PTF080601E R
θ
JC
0.897 °c/w

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developmental 数据薄板 2 2003-12-05 developmental ptf080601 直流特性在 t 情况 = 25°c 除非否则表明典型的情况标识最小值典型值最大值单位流-源损坏电压 V GS = 0V, i DS = 10 µa V (br)dss — 65 — V 流泄漏电流 V DS = 28V, v GS = 0V I DSS — 1.0 — µA 在-状态阻抗 V GS = 10V, i DS = 1 一个 R ds(在) — 0.1 — Ω 运行门电压 V DS = 28V, i DQ = 550 毫安 V GS — 3.2 — V 门泄漏电流 V GS = 10V, v DS = 0V I GSS — — 1.0 µA 最大比率参数标识值单位流-源电压 V DSS 65 V 门-源电压 V GS –0.5 至 +12 V 接合面Temperature T J 200 °C Total 设备消耗 PTF080601A P D 180 W 在之上 25°c 减额用 1.03 w/°c Total 设备消耗 PTF080601E P D 195 W 在之上 25°c 减额用 1.11 w/°c 存储Temperature 范围 T STG –40 至 +150 °C 热的阻抗 (t 情况 = 70°c) PTF080601A R θ JC 0.972 °c/w PTF080601E R θ JC 0.897 °c/w

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