slus246c − october 1999− 修订 二月 2005
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达拉斯市, 德州 75265
应用 信息
choosing 一个 topology 和 最优的 同步的 整流器 (持续)
便条 那 这 高等级的 这 频率 的 运作, 这 更多 核心的 这 场效应晶体管 门 承担 变为 为
效率, 特别 在 明亮的 负载. 不管怎样, 高 加载 电流 要求 更小的 rds(在), 这个 tends 至
增加 门 承担. 这些 二 参数 应当 是 保持平衡. 在 更小的 发生率, 这 门 承担
变为 较少 重要的, 在 1 mhz 或者 更多, 它 是 核心的.
表格 1. selecting topology 为基础 在 输入 和 输出 电压 (所需的)东西
cell 类型 nunber 的 cells V
在
范围 V
输出
Topology
2 1.8 v 至 3.0 v 3.0 < v < 8.0 Boost
alkaline 或者 nicd, nimh
2.5 < v < 3.9 flyback 或者 sepic
alkaline 或者 nicd, nimh
3 2.7 v 至 4.5 v
4.5 < v < 8.0 Boost
3 2.7 v 至 4.5 v
v > 8.0 non−synchronous boost
2.5 < v < 3.6 flyback 或者 sepic
li-ion 1 2.5 v 至 4.2 v
4.2 < v < 8.0 Boost
li-ion 1 2.5 v 至 4.2 v
v > 8.0 non−synchronous boost
boost topology
这 boost topology 是 简单的 和 效率高的, 和 应当 是 使用 whenever 这 desired 输出 电压 是 更好
比 这 最大 输入 电压.
boost 使用 二 n-频道 mosfets
一个 boost 转换器 使用 二 n-频道 mosfets 是 显示 在 图示 4. 这个 配置 是 最优的 为 输出
电压 在下 4 v, 在哪里 这 输出 电压 将 不 是 高 足够的 至 提供 最优的 门 驱动 为 一个
p-频道场效应晶体管. 便条 那 在 这个 情况, 一个 承担 打气 是 必需的 至 提供 恰当的 门 驱动 水平. 这个
是 容易地 accomplished 用 adding 一个 外部 二极管 和 一个 电容, 作 显示. 这 二极管 connects 从 这
输出 电压 至 这 cp 管脚. 它 应当 是 一个 ultrafast 或者 一个 肖特基 二极管. 一个 0.1-
µ
f 陶瓷的 电容 是
连接 从这 流 的 这 承担 场效应晶体管 至 这 cp 管脚. 这个 是 这 “flying” 电容 那 charges 至 (v
输出
– v
二极管
) 每 时间 这 承担 场效应晶体管 是 在. 一个 承担 打气 reservoir 电容 是 连接 从 这 vpump
管脚 至 地面. 它 应当 是 在 least 1
µ
f. 一个 高-速 起作用的 整流器 inside 这 ucc39421 charges 这 打气
电容 从 这 cp 管脚. 这 承担 打气 电压 是:
V
打气
2
V
输出
(4)
为 一个 块 图解 的 这 承担 打气 逻辑, 谈及 至 图示 12.
便条
: 一个 承担 打气 应当 不 是 使用 在 输出 电压 在 4.0 v 至 避免 打气 电压 exceeding 8 v
.
为 其它 产品, 在哪里 这 承担 打气 是 不 必需的, 这 cp 管脚 应当 是 grounded 和 这 管脚
应当 是 连接 至 也 v
输出
或者 v
在
, whichever 是 更好.
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