1999 将 21 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 PZTA44
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
.
为 其它 挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot223 在 这 一般 部分 的 有关联的
Handbook”
.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 91 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 10 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 400 V
−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
= 400 v; t
j
= 150
°
C
−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=4V
−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=10V
I
C
= 1 毫安 40
−
I
C
= 10 毫安 50 200
I
C
= 50 毫安; 便条 1 45
−
I
C
= 100 毫安; 便条 1 40
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 1 毫安; i
B
= 0.1 毫安
−
400 mV
I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
−
500 mV
I
C
= 50 毫安; i
B
= 5 毫安; 便条 1
−
750 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 1 毫安; 便条 1
−
850 mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 20 v; f = 1 MHz
−
7pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 500 mv;
f = 1 MHz
−
180 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
=10v;
f = 100 MHz
20
−
MHz