slus487d −12月 2001 − 修订 十一月 2003
www.德州仪器.com
11
校准 的 cell 电压 监控
放大器 增益
这 cell 电压 监控 放大器 有 一个 补偿, 这个 能
是 校准 至 增加 精度.
这 下列的 程序 显示 如何 至 measure 和
计算 这 补偿:
1. 设置 cal2=0, cal1=1, vm1=0, vm0=0
这 输出 电压 包含 这 补偿 和 是
represented 用
V
OUT1
= 0.975 + (1 + k)
×
V
OS
(v)
在哪里 k = vcell 范围调整 因素
V
OS
= 补偿 电压 在 输入 的 这 内部的 运算-放大
2. 设置 cal2=1, cal1=0, vm1=0, vm0=0
这 输出 电压 包含 这 规模 因素 错误 和
补偿 和 是 represented 用
V
OUT2
= 0.975 + (1 + k)
×
V
OS
– k
×
0.975 (v)
3. 计算 (v
OUT1
– v
OUT2
)/0.975
这 结果 是 这 真实的 范围调整 因素, k
ACT
和 是
represented 用
K
ACT
= (v
OUT1
–V
OUT2
)/0.975 = (0.975 + (1 + k)
×
V
OS
) − (0.975 + (1 + k)
×
V
OS
– k
×
0.975)/0.975
= k
×
0.975/0.975 = k
4. 计算 这 真实的 补偿 值 在哪里
V
os(act)
= (v
OUT1
– 0.975)/(1 + k
ACT
)
5. 校准 cell 电压 是 计算 用
VC
n
− vc
(n+1)
= [0.975 + (1 + k
ACT
)
×
V
os(act)
–
V
CELLOUT
]/k
ACT
cell balance 控制
这 cell balance 控制 准许 一个 小 释放 至 是
控制为 任何 一个 序列 元素. 这 目的 的 这个
释放 是 至 bring 这 序列 elements 至 这 一样
电压. 序列 电阻器 放置 在 这 输入 管脚
和 这 积极的 序列 元素 nodes 控制 这
释放电流 值.
单独的 序列 元素 选择 是 制造 使用
cell_sel (b4...b7). cell balance 释放 是 也
无能 如果 位 cell_sel (b4...b7) 是 零. 当 所有
cell_sel (b4
…
b7) 位 是 设置 至 1, 然后 所有 序列
elements是 释放.
dsg 和 chg 场效应晶体管 驱动器 控制
这 bq29311 驱动 这 场效应晶体管 止 如果 一个 oc 或者 sc 安全
门槛 是 breached. 这 host能 强迫 任何 场效应晶体管 在 或者
止 仅有的 如果 这 bq29311 整体的 保护 控制 准许.
这 dsg 和 chg 场效应晶体管 驱动 门-至-流 电压 是
clamped 至 15 v (max) 和 11 v (典型值).
这 default-状态 的 这 场效应晶体管 驱动 是 止. 一个 host 能 控制
这 场效应晶体管 驱动 用 程序编制 控制 (b1...b2) 在哪里
b1 是 使用 至 控制 这 外部 释放 场效应晶体管 和 b2 是
使用 至 控制 这 外部 承担 场效应晶体管. 这些 控制
是 有效的 仅有的 当 关闭 是 不 起作用的.
pchg 场效应晶体管 驱动器 控制
这 pchg 场效应晶体管 是 使用 当 这 电池 是 下面 电压,
准许 限制 conditioning 电流 模式 此类 作
前-承担 和 0 v charging. 在 startup 的 这 bq29311
(charger连接 至 电池 包装), pchg 是 clamped 至
3.5 v 当 vpack 是 3.8 v 至 5.25 v. 因此 这 真实的
vpack 电压 是 decided 和 这个 pchg clamp 电压
和 这 vgs(门-源 电压) 的 外部 precharge
场效应晶体管. 当 vpack 是 在 5.25 v, pchg 电压 将
是 控制 至 二-thirds 的 vpack.
这 default 状态 的 pchg 是 在. 那里 是 二 方法
至 拉 向上 pchg 至转变 止 precharge场效应晶体管. 一个 是 通过
这 控制 寄存器 通过 串行 交流. 设置 b3 在
这 控制 寄存器 至 1 转变 止 这 precharge 场效应晶体管.
另一方法 是 至 使用 cntl. floating cntl 或者 拉
cntl 向上 至 vreg 转变 止 这 precharge 场效应晶体管 和 也
这 chg 和 dsg fets.
overcurrent, 超载, 和 短的-电路 发现 是 不
应用在 precharge 行动. 一个 外部 电阻
located 在序列 和 这 外部 precharge 场效应晶体管 限制 这
电流 流动为 precharge 行动.
V
包装
− 包装 积极的 电压 − v
V
PCHG
− 推-拉 输出 电压 − v
0 5.25 10 15 20 25
5.0
30
10.0
15.0
20.0
3.5
16.7
3.8
图示 3. pchg 驱动 输出 vs. 包装 电压
(设计 simulation)
: 点此下载
