march 22, 2004 30606b0
S29CD032G 3
进步 信息
状态 位
. 之后 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这 设备 是
准备好 至 读 排列 数据 或者接受 另一 command.
这
sector 擦掉 architecture
准许 记忆 sectors 至 是 erased 和 repro-
grammed 没有 影响 这 数据 内容的 其它 sectors. 这 设备 是 全部地
erased 当 运输 从 这 工厂.
硬件 数据 保护
measures 包含 一个 低 v
CC
探测器 那 automat-
ically inhibits 写 行动 在 电源 transitions. 这
password 和
软件 sector 保护
特性 使不能运转 两个都 程序 和 擦掉 opera-
tions 在 任何 结合体 的 sectors 的 记忆. 这个 能 是 达到 在-系统
在 v
CC
水平的.
这
程序/擦掉 suspend/擦掉 重新开始
特性 使能 这 用户 至 放
擦掉 在 支撑 为 任何 时期 的 时间 至 读 数据 从, 或者 程序 数据 至, 任何
sector 那 是 不 选择 为 erasure. 真实 background 擦掉 能 因此 是
达到.
这
硬件 reset# 管脚
terminates 任何 运作在 progress 和 resets 这
内部的 状态 机器 至 读 排列 数据.
这 设备 提供 二 电源-节省 features. 当 地址 有 被 稳固的
为 一个 指定 数量 的 时间, 这 设备 enters 这
自动 睡眠 模式
.
这 系统 能 也 放置 这 设备 在 这
备用物品 模式
. 电源 consump-
tion 是 非常 减少 在 两个都 这些 模式.
amd’s flash 技术 结合 年 的 flash 记忆 制造 experi-
ence 至 生产 这 最高的 水平 的 质量, 可靠性 和 费用 成效.
这 设备 用电气 erases 所有 位 在里面 一个 sector 同时发生地 通过
fowler-nordheim tunnelling. 这 数据 是 编写程序 使用 hot electron
injection.
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