r1lp0408c-i 序列
rev.1.00, 8月.01.2003, 页 12 的 13
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta =
−
40 至 +85
°
c)
参数 标识 最小值 typ*
4
最大值 单位 测试 conditions*
3
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2
V CS#
≥
V
CC
−
0.2 v, vin
≥
0 v
数据 保持
电流
至 +85
°
c i
CCDR
*
1
20
µ
一个 v
CC
= 3.0 v, vin
≥
0 v
CS#
≥
V
CC
−
0.2 v
I
CCDR
*
2
10
至 +40
°
c i
CCDR
*
1
1.0 10
µ
一个
I
CCDR
*
2
1.0 3
−
20
°
c 至 +25
°
c i
CCDR
*
1
0.8 10
µ
一个
I
CCDR
*
2
0.8 3
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 t
CDR
0
ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*
5
ns
注释: 1. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l 版本.
2. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 sl 版本.
3. cs# 控制 地址 缓存区, we# 缓存区, oe# 缓存区, 和 din 缓存区. 在 数据 保持 mode,
vin 水平 (地址, we#, oe#, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 state.
4. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25
°
c 和 指定 加载, 和 不 有保证的.
5. t
RC
= 读 循环 时间.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
(cs# 控制)
V
CC
4.5 v
2.4 v
0 v
CS#
t
CDR
t
R
CS#
≥
V
CC
–
0.2 v
V
DR
数据 保持 模式
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