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资料编号:569546
 
资料名称:R1LV0408CSB-5SI
 
文件大小: 94.79K
   
说明
 
介绍:
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword 】 8-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
r1lv0408c-i 序列
rev.2.00, 将.25.2004, 页 5 的 12
运作 表格
we# cs# oe# 模式 V
CC
电流 i/o0 至 i/o7 ref. 循环
×
H
×
不 选择 I
SB
, i
SB1
高-z
h l h 输出 使不能运转 I
CC
高-z
h l l 读 I
CC
dout 读 循环
l l h 写 I
CC
Din 写 循环 (1)
l l l 写 I
CC
Din 写 循环 (2)
便条: h: v
IH
, l: v
IL
,
×
: v
IH
或者 v
IL
绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位
电源 供应 电压 相关的 至 v
SS
V
CC
0.5 至 +4.6 V
终端 电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
V
T
0.5
*
1
至 v
CC
+ 0.5
*
2
V
电源 消耗 P
T
0.7 W
运行 温度 Topr
40 至 +85
°
C
存储 温度 范围 Tstg
65 至 +150
°
C
存储 温度 范围 下面 偏差 Tbias
40 至 +85
°
C
注释: 1.V
T
最小值:
3.0 v 为 脉冲波 half-宽度
30 ns.
2. 最大 电压 是 +4.6 v.
直流 运行 情况
(ta =
40 至 +85
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
2.7 3.0 3.6 v
V
SS
0 0 0 v
输入 高 电压 V
IH
2.2
V
CC
+ 0.3 V
输入 低 电压 V
IL
0.3
*
1
0.6V
便条: 1. v
IL
最小值:
3.0 v 为 脉冲波 half-宽度
30 ns.
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