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资料编号:569549
 
资料名称:R1RP0416DGE-2PR
 
文件大小: 100.17K
   
说明
 
介绍:
4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
r1rp0416d 序列
rev.1.00, 三月.12.2004, 页 13 的 13
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = 0 至 +70
°
c)
这个 特性 是 有保证的 仅有的 为 l-版本.
参数 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0
V V
CC
CS#
V
CC
0.2 v,
(1) 0 v
V
0.2 v 或者
(2) v
CC
V
V
CC
0.2 v
数据 保持 电流 I
CCDR
500
µ
一个 v
CC
= 3 v
V
CC
CS#
V
CC
0.2 v,
(1) 0 v
V
0.2 v 或者
(2) v
CC
V
V
CC
0.2 v
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 t
CDR
0
ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
5
ms
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
CC
V
2.2 v
4.5 v
0 v
CS#
t
CDR
t
R
DR
V
数据 保持 模式
V
CC
CS#
V
CC
0.2 v
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