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资料编号:569549
 
资料名称:R1RP0416DGE-2PR
 
文件大小: 100.17K
   
说明
 
介绍:
4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
r1rp0416d 序列
rev.1.00, 三月.12.2004, 页 5 的 13
直流 特性
(ta = 0 至 +70
°
c, v
CC
= 5.0 v
±
10%, v
SS
= 0 v)
参数 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
输入 泄漏 电流 |I
LI
|
2
µ
一个 v
= v
SS
至 v
CC
输出 泄漏 电流 |I
LO
|
2
µ
一个 v
= v
SS
至 v
CC
运作 电源 供应 电流 I
CC
160 毫安 最小值 循环
cs# = v
IL
, l
输出
= 0 毫安
其它 输入 = v
IH
/v
IL
备用物品 电源 供应 电流 I
SB
40 毫安 最小值 循环, cs# = v
IH
,
其它 输入 = v
IH
/v
IL
I
SB1
5 毫安 f = 0 mhz
V
CC
CS#
V
CC
0.2 v,
(1) 0 v
V
0.2 v 或者
(2) v
CC
V
V
CC
0.2 v
*
1
1.0
*
1
输出 电压 V
OL
0.4 v I
OL
= 8 毫安
V
OH
2.4
V I
OH
=
4 毫安
便条: 1. 这个 特性 是 有保证的 仅有的 为 l-版本.
电容
(ta = +25
°
c, f = 1.0 mhz)
参数 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
输入 电容
*
1
C
6 pf v
= 0 v
输入/输出 电容
*
1
C
i/o
8 pf v
i/o
= 0 v
便条: 1. 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
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