半导体 组件 industries, llc, 2003
十一月, 2003 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
rb521s30t1/d
RB521S30T1
肖特基 屏障 二极管
这些 肖特基 屏障 二极管 是 设计 为 高 速 切换
产品, 电路 保护, 和 电压 夹紧. 极其 低
向前 电压 减少 传导 丧失. 小型的 表面 挂载
包装 是 极好的 为 hand 使保持 和 可携带的 产品 在哪里
空间 是 限制.
•
极其 快 切换 速
•
极其 低 向前 电压 0.5 v (最大值) @ i
F
= 200 毫安
•
低 反转 电流
最大 比率
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
30 Vdc
向前 电流 直流 I
F
200 毫安
静电释放 比率: 类 1c 每 人 身体 模型
静电释放 比率:类 c 每 机器 模型
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr−5 板,
(便条 1) t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
200
1.57
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 junction−to−ambient R
JA
635
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至 +125
°
C
1. fr−5 最小 垫子
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
反转 泄漏
(v
R
= 10 v)
I
R
− − 30.0
一个
向前 电压
(i
F
= 200 毫安)
V
F
− − 0.50 Vdc
30 v 肖特基
屏障 二极管
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
RB521S30T1 SOD−523 4 mm 程度
3000/录音带 &放大; 卷轴
SOD−523
情况 502
塑料
2
1
1
CATHODE
2
ANODE
5M
d
5M = 明确的 设备 代号
d = 日期 代号
标记 图解
RB521S30T5 SOD−523 2 mm 程度
8000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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