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资料编号:572439
 
资料名称:RB751V-40
 
文件大小: 62.87K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rb751v-40
二极管
rev.b 2/3
z
电的 典型的 曲线
(毫安)
t:如果
RREN
d cu
RWAR
FO
m(一个)
IFS
一个
FORW
向前 voltage:vf(mv)
vf-如果 特性
反转 电流:ir(ua)
反转 voltage:vr(v)
vr-ir 特性
电容 在
terminals:ct(pf)
反转 电压:vr(v)
vr-ct 特性
vf dipersion 编排
向前 电压:vf(mv)
反转 电流:ir(na)
ir dispersion 编排
电容 在
terminals:ct(pf)
ct dispersion 编排
ifsm dispersion 编排
顶峰 surge
rd 电流:
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
号码 的 循环
ifsm-循环 特性
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
时间:t(ms)
ifsm-t 特性
时间:t(s)
rth-t 特性
瞬时
thaermal 阻抗:rth (℃/w)
向前 电源
消耗:pf(w)
平均 调整的
向前 电流 io(一个)
io-pf 特性
反转 电源
消耗:p
R
(w)
反转 电压:vr(v)
vr-p
R
特性
0.01
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
ta=-25℃
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0 102030
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
ta=-25℃
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
ave:185.5na
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
0
5
10
15
20
ave:7.30a
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
1 10 100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1 10 100
t
Ifsm
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
sin(θ=180)
d=1/2
直流
0
0.001
0.002
0.003
0102030
sin(θ=180)
直流
d=1/2
0.1
1
10
0 102030
f=1MHz
VF分布
250
260
270
280
290
300
ave:267.4mv
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
1
10
100
1000
0.001 0.1 10 1000
rth(j-一个)
rth(j-c)
1ms
IM=10mA IF=100mA
300us
时间
挂载 在 环氧的 板
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ave:1.97pf
Ta=25℃
f=1MHz
VR=1V
n=10pcs
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