产品 规格 RC5051
rev. 1.0.4 4/2/01
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开发 横过 这 sense 电阻 超过 这 120mv com-
parator 门槛 电压, 这 rc5051 减少 这 输出
职责 循环 至 帮助 保护 这 电源 设备. 这 直流-直流
转换器 returns 至 正常的 运作 之后 这 故障 有 被
移除.
振荡器
这 rc5051 振荡器 部分 使用 一个 fixed 电流 电容
charging configuration. 一个 外部 电容 (cext) 是
使用 至 设置 这 振荡器 频率 在 80khz 和
1mhz. 这个 scheme 准许 最大 flexibility 在 choosing
外部 组件.
在 一般, 一个 高等级的 运行 频率 减少 这 顶峰
波纹 电流 flowing 在 这 输出 inductor, 因此 准许
这 使用 的 一个 小 inductor 值. 在 增加, 运作 在
高等级的 发生率 减少 这 数量 的 活力 存储
那 必须 是 提供 用 这 大(量) 输出 电容 在
加载 过往旅客 预定的 至 faster 循环 回馈 的 这 控制.
unfortunately, 这 efficiency losses 预定的 至 切换 的 这
mosfets 增加 作 这 运行 频率 是 增加.
因此, efficiency 是 优化 在 更小的 发生率. 一个 oper-
ating 频率 的 300khz 是 一个 典型 选择 这个 opti-
mizes efficiency 和 降低 组件 大小 当
维持 极好的 规章制度 和 瞬时 效能
下面 所有 运行 情况.
设计 仔细考虑 和 组件
选择
额外的 信息 在 设计 和 组件 选择
将 是 建立 在 仙童 半导体’s 应用
便条 53.
场效应晶体管 选择
这个 应用 需要 n-频道 逻辑 水平的 增强-
ment 模式 地方 效应 晶体管. desired 特性
是 作 跟随:
• 低 静态的 流-源 在-阻抗,
R
ds,在
< 20m
Ω
(更小的 是 更好的)
• 低 门 驱动 电压, v
GS
= 4.5v 评估
• 电源 包装 和 低 热的 阻抗
• 流-源 电压 比率 > 15v.
这 在-阻抗 (r
ds,在
) 是 这 primary 参数 为
场效应晶体管 选择. 这 在-阻抗 确定 这 电源
消耗 在里面 这 场效应晶体管 和 因此 significantly
affects 这 efficiency 的 这 直流-直流 转换器. 为 详细信息
和 一个 spreadsheet 在 场效应晶体管 选择, 谈及 至 applica-
tions 公告 ab-8
场效应晶体管 门 偏差
这 高 一侧 场效应晶体管 门 驱动器 能 是 片面的 用 一个 的
二 methods–charge 打气 或者 12v 门 偏差. 这 承担
打气 方法 有 这 有利因素 的 需要 仅有的 +5v 作 一个
输入 电压 至 这 转换器, 但是 这 12v 方法 将 real-
ize 增加 efficiency 用 供应 一个 增加 v
GS
至 这
高 一侧 mosfets.
方法 1. 承担 打气 (自举)
图示 3 显示 这 使用 的 一个 承担 打气 至 提供 门 偏差
至 这 高 一侧 场效应晶体管 当 +12v 是 无法得到. capac-
itor cp 是 这 承担 打气 使用 至 boost 这 电压 的 这
rc5051 输出 驱动器. 当 这 场效应晶体管 q1 switches 止,
这 源 的 这 场效应晶体管 是 在 大概 0v 因为
的 这 场效应晶体管 q2. (这 肖特基 d2 conducts 为 仅有的 一个
非常 短的 时间, 和 是 不 relevent 至 这个 discussion.) cp 是
charged 通过 这 肖特基 二极管 d1 至 大概
4.5v. 当 这 场效应晶体管 q1 转变 在, 这 电压 在 这
源 的 这 场效应晶体管 是 equal 至 5v. 这 电容 电压
跟随, 和 hence 提供 一个 电压 在 vccqp equal 至
almost 10v. 这 肖特基 二极管 d1 是 必需的 至 提供
这 承担 path 当 这 场效应晶体管 是 止, 和 reverses
biases 当 vccqp 变得 至 10v. 这 承担 打气 capaci-
tor (cp) needs 至 是 一个 高 q, 高 频率 电容. 一个
1
µ
f 陶瓷的 电容 是 推荐 here.
图示 3. 承担 打气 配置
方法 2. 12v 门 偏差
图示 4 illustrates 如何 一个 12v 源 能 是 使用 至 偏差
vccqp. 一个47
Ω
电阻 是 使用 至 限制 这 瞬时 电流
在 这 vccqp 管脚 和 一个 1µf 电容 是 使用 至 filter 这
vccqp 供应. 这个 方法 提供 一个 高等级的 门 偏差
电压 (v
GS
) 至 这 高 一侧 场效应晶体管 比 这 承担
打气 方法, 和 因此 减少 这 r
ds,在
和 这
结果 电源 丧失 在里面 这 场效应晶体管. 在 设计 在哪里
efficiency 是 一个 primary concern, 这 12v 门 偏差 方法 是
推荐. 一个 6.2v 齐纳 二极管, d1, 是 使用 至 clamp 这
电压 在 vccqp 至 一个 最大 的 12v 和 确保 那 这
绝对 最大 电压 的 这 ic 将 不 是 超过.
pwm/pfm
控制
65-5051-06
VO
+5V
D1
D2
CP
Q1
Q2
L2 RS
C
输出
VCCQP
HIDRV
LODRV
GNDP
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