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mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD60HUF1
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,60w
RD60HUF1
mitsubishi electric
rev.1  14 将. 2003
4/7
静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
测试 电路
15
90
75
63
18/10pf
8
L1
9.1kOHM
100
5
220pF
10pF
RD60HUF1
维度:mm
56pF
rf-在
Vdd
Vgg
100OHM
l1:4turns,i.d6mm,d1.6mm p=1 silver plateted 铜 线
C1
rf-输出
C2
c1:2200pf,10uf 在 并行的 便条:板 材料-teflon 基质
微观的 strip 线条 宽度=4.2mm/50ohm,er:2.7,t=1.6mm
100
6
12
38
2pF
18/10pf
L2
8.2kohm
11
12
8
14
C3
L1
c2:2200pf*2 在 并行的
c3:2200pf,330uf 在 并行的
l2:3turns,i.d6mm,d1.6mm p=1 silver plateted 铜 线
10/5/8pf
5/22pf

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mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管 RD60HUF1 硅场效应晶体管电源晶体管 520mhz,60w RD60HUF1 mitsubishi electric rev.1 14 将. 2003 4/7 静电的敏感的设备注意到处理预防措施测试电路 15 90 75 63 18/10pf 8 L1 9.1kOHM 100 5 220pF 10pF RD60HUF1 维度:mm 56pF rf-在 Vdd Vgg 100OHM l1:4turns,i.d6mm,d1.6mm p=1 silver plateted 铜线 C1 rf-输出 C2 c1:2200pf,10uf 在并行的便条:板材料-teflon 基质微观的 strip 线条宽度=4.2mm/50ohm,er:2.7,t=1.6mm 100 6 12 38 2pF 18/10pf L2 8.2kohm 11 12 8 14 C3 L1 c2:2200pf*2 在并行的 c3:2200pf,330uf 在并行的 l2:3turns,i.d6mm,d1.6mm p=1 silver plateted 铜线 10/5/8pf 5/22pf

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