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资料编号:576785
 
资料名称:RF1K49093
 
文件大小: 133.63K
   
说明
 
介绍:
2.5A, 12V, 0.130 Ohm, Logic Level, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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图示 12. NORMALIZED 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 13. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 14. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an7254 和 an7260.
图示 15. NORMALIZED 切换 波形
常量 门 电流
测试 电路 和 波形
图示 16. unclamped 活力 测试 电路 图示 17. unclamped 活力 波形
典型 效能 曲线
(持续)
-80 -40 0 40 80 120 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
normalized 门
门槛 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= -250
µ
一个
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
-40 0 40 80 120
160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= -250
µ
一个
1200
900
300
0
0 -2 -4 -6 -8 -10
c, 电容 (pf)
600
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
= c
DS
+ c
GD
-12
-9
-6
-3
0
20
I
G REF
()
I
G ACT
()
----------------------
t, 时间 (
µ
s)
80
I
GREF
()
I
GACT
()
----------------------
-5.00
-3.75
-2.50
-1.25
0.00
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
V
DS
, 流-源 电压 (v)
V
GS
, 门-源 电压 (v)
R
L
= 3.84
I
g(ref)
= -0.5ma
V
GS
= -5v
0.75 bv
DSS
0.50 bv
DSS
0.25 bv
DSS
t
P
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
RF1K49093
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