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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
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pspice 电的 模型
子电路定义 rf1k49093 2 1 3; rev 10/24/94
ca 12 8 8.75e-10
cb 15 14 8.65e-10
cin 6 8 7.65e-10
dbody 5 7 dbdmod
dbreak 7 11 dbkmod
dplcap 10 5 dplcapmod
ebreak 5 11 17 18 -23.75
eds 14 8 5 8 1
egs 13 8 6 8 1
esg 6 10 8 6 1
evto 20 6 8 18 1
它 8 17 1
ldrain 2 5 1e-9
lgate 1 9 1.233e-9
lsource 3 7 0.452e-9
mos1 16 6 8 8 mosmod m = 0.99
mos2 16 21 8 8 mosmod m = 0.01
rbreak 17 18 rbkmod 1
rdrain 5 16 rdsmod 7.36e-3
rgate 9 20 6.1
rin 6 8 1e9
rsource 8 7 rdsmod 4.56e-2
rvto 18 19 rvtomod 1
s1a 6 12 13 8 s1amod
s1b 13 12 13 8 s1bmod
s2a 6 15 14 13 s2amod
s2b 13 15 14 13 s2bmod
vbat 8 19 直流 1
vto 21 6 -0.558
.模型 dbdmod d (是 = 3.0e-13 rs = 4.4e-2 trs1 = 1.0e-3 trs2 = -7.37e-6 cjo = 1.27e-9 tt = 2.2e-8)
.模型 dbkmod d (rs = 7.84e-2 trs1 = -4.27e-3 trs2 = 5.77e-5)
.模型 dplcapmod d (cjo = 2.85e-10 是 = 1e-30 n = 10)
.模型 mosmod pmos (vto = -2.1423 kp = 9.206 是 = 1e-30 n = 10 tox = 1 l = 1u w = 1u)
.模型 rbkmod res (tc1 = 9.61e-4 tc2 = -1.09e-6)
.模型 rdsmod res (tc1 = 2.10e-3 tc2 = 6.99e-6)
.模型 rvtomod res (tc1 = -1.82e-3 tc2 = 1.47e-7)
.模型 s1amod vswitch (ron = 1e-5 roff = 0.1 von = 5.47 voff= 3.47)
.模型 s1bmod vswitch (ron = 1e-5 roff = 0.1 von = 3.47 voff= 5.47)
.模型 s2amod vswitch (ron = 1e-5 roff = 0.1 von = 1.05 voff= -3.95)
.模型 s2bmod vswitch (ron = 1e-5 roff = 0.1 von = -3.95 voff= 1.05)
.ends
便条: 为 更远 discussion 的 这 pspice 模型, 咨询
一个 新 pspice sub-电路 为 这 电源 场效应晶体管 featuring global
温度 选项
; ieee 电源 electronics specialist conference records, 1991.
12
13
8
14
13
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
1
门
LGATE RGATE
EVTO
+
CA
CB
EGS
EDS
RIN
CIN
MOS1
MOS2
RDRAIN
DBREAK
EBREAK
DBODY
LDRAIN
流
RSOURCE
LSOURCE
源
RBREAK
RVTO
VBAT
它
VTO
ESG
DPLCAP
6
10
5
16
21
11
8
14
7
3
17
18
19
2
+
+
+
+
+
20
9
17
18
-
5
8
--
+
6
8
18
8
-
-
-
6
8
-
RF1K49093
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