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资料编号:576787
 
资料名称:RF1K49223
 
文件大小: 97.61K
   
说明
 
介绍:
2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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图示 12. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 13. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an7254 和 an7260.
图示 14. normalized 切换 波形 为 常量 门 电流
测试 电路 和 波形
图示 15. unclamped 活力 测试 电路 图示 16. unclamped 活力 波形
典型 效能 曲线
(持续)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= -250
µ
一个
750
600
300
0
0 -5 -10 -15 -20
-25
c, 电容 (pf)
450
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
150
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
= c
DS
+ c
GD
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= 0.75 bv
DSS
V
DD
= 0.50 bv
DSS
V
DD
= 0.25 bv
DSS
plateau 电压 在
descending 顺序:
R
L
= 12
I
g(ref)
= -0.26ma
V
GS
= -10v
-30.0
-22.5
-15.0
-7.5
0
20
I
G REF
()
I
G ACT
()
----------------------
t, 时间 (
µ
s)
80
I
G REF
()
I
GACT
()
----------------------
-10.0
-7.5
-5.0
-2.5
0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
t
P
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
RF1K49223
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