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资料编号:576787
 
资料名称:RF1K49223
 
文件大小: 97.61K
   
说明
 
介绍:
2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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8-166
焊接 预防措施
焊接 处理 creates 一个 considerable 热的 压力
任何 半导体 组件. melting 温度
焊盘 高等级的 最大 评估 温度
设备. 数量 时间 设备 heated 一个
温度 应当 使减少到最低限度 使确信 设备 可靠性.
因此, 下列的 预防措施 应当 总是
observed 顺序 降低 热的 压力 这个
这 设备 是 subjected.
1. 总是 preheat 这 设备.
2. delta 温度 preheat 焊盘-
ing 应当 总是 较少 100
o
c. 失败 preheat
设备 结果 过度的 热的 压力 这个
能 损坏 这 设备.
3. 最大 温度 gradient 应当 较少
5
o
C 第二 changing preheating sol-
dering.
4. 顶峰 温度 焊接 处理 应当
least 30
o
C 高等级的 melting 要点 焊盘
选择.
5. 最大 焊接 温度 时间 必须
超过 260
o
C 10 leads 情况
这 设备.
6. 之后 焊接 完全, 设备 应当 允许
cool naturally least 分钟, 强迫 cool-
ing 增加 温度 gradient 结果
在 latent 失败 预定的 至 机械的 压力.
7. 冷却, 机械的 压力 或者 shock 应当
避免.
图示 17. 切换 时间 测试 电路
图示 18. resistive 切换 波形
图示 19. 门 承担 测试 电路 图示 20. 门 承担 波形
测试 电路 和 波形
(持续)
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
d(在)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(止)
t
90%
50%
50%
10%
脉冲波 宽度
V
GS
t
10%
0
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
V
DD
Q
g(th)
V
GS
= -2v
Q
g(-10)
V
GS
= -10v
Q
g(tot)
V
GS
= -20v
V
DS
-v
GS
I
g(ref)
0
0
RF1K49223
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