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资料编号:576827
 
资料名称:RF1K49224
 
文件大小: 223.83K
   
说明
 
介绍:
3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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9-20
图示 8. 转移 特性 图示 9. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 10. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
图示 11. NORMALIZED 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 12. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 13. 电容 vs 流 至 源 电压
典型 效能 曲线 (n-频道)
(持续)
0
3.0 4.5 6.0 7.51.5
0
5
10
15
20
25
150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
I
d(在)
, 在-状态 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-55
o
C
25
o
C
50
100
150
200
250
0
6475
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
r
ds(在)
, 流 至 源
I
D
= 0.5a
38910
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
I
D
= 1.75a
I
D
= 3.5a
I
D
= 7.0a
在 阻抗 (m
)
V
DD
= 15v
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 3.5a
职责 循环 = 0.5% 最大值
-80 -40 0 40 80 120 160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
normalized 门
门槛 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40 0 40 80 120
160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
1000
750
250
0
0 5 10 15 20
25
c, 电容 (pf)
C
RSS
500
C
ISS
C
OSS
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
= c
DS
+ c
GD
RF1K49224
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