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资料编号:576827
 
资料名称:RF1K49224
 
文件大小: 223.83K
   
说明
 
介绍:
3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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9-22
图示 19. 门 承担 测试 电路 图示 20. 门 承担 波形
测试 电路 和 波形 (n-频道)
(持续)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(ref)
V
DD
Q
g(th)
V
GS
= 2v
Q
g(10)
V
GS
= 10v
Q
g(tot)
V
GS
= 20v
V
DS
V
GS
I
g(ref)
0
0
典型 效能 曲线 (p-频道)
图示 21. NORMALIZED 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 22. 最大 持续的 电流 vs
包围的 温度
图示 23. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
T
一个
, 包围的 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
-1.5
-0.5
0
25
50
75 100 125 150
-1.0
-2.0
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
, 包围的 温度 (
o
c)
-3.0
-2.5
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-5
10
-1
10
0
10
2
0.001
10
0.1
1
10
-2
10
3
Z
θ
JA
, normalized
热的 阻抗
0.01
10
-4
10
-3
单独的 脉冲波
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JA
x r
θ
JA
+ t
一个
P
DM
t
1
t
2
10
1
职责 循环 - descending 顺序
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
RF1K49224
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