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资料编号:576827
 
资料名称:RF1K49224
 
文件大小: 223.83K
   
说明
 
介绍:
3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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9-24
图示 30. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
图示 31. NORMALIZED 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 32. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 33. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an7254 和 an7260.
图示 34. normalized 切换 波形 为 常量 门 电流
典型 效能 曲线 (p-频道)
(持续)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= -10v, i
D
= -2.5a
职责 循环 = 0.5% 最大值
-80 -40 0 40 80 120 160
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
门槛 电压
V
GS
= v
DS
, i
D
= -250
µ
一个
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= -250
µ
一个
750
600
300
0
0 -5 -10 -15 -20
-25
c, 电容 (pf)
450
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
150
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
= c
DS
+ c
GD
-30.0
-22.5
-15.0
-7.5
0
t, 时间 (
µ
s)
80
I
g REF
()
I
g ACT
()
---------------------
-10.0
-7.5
-5.0
-2.5
0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
R
L
= 12
I
g(ref)
= -0.26ma
V
GS
= -10v
20
I
g REF
()
I
g ACT
()
------------------------
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= 0.75 bv
DSS
V
DD
= 0.50 bv
DSS
V
DD
= 0.25 bv
DSS
plateau 电压 在
descending 顺序:
RF1K49224
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