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资料编号:577148
 
资料名称:IRFB4310
 
文件大小: 383.68K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 10.
流-至-源 损坏 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 11.
典型 c
OSS
贮存 活力
图 9.
最大 流 电流 vs.
情况 温度
图 12.
最大 avalanche 活力 vs. draincurrent
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
V
GS
= 0v
25 50 75 100 125 150 175
T
C
, 情况 温度 (°c)
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
,
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
限制 用 包装
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
, 接合面 温度 (°c)
100
105
110
115
120
V
(
B
R
)
D
S
S
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
B
r
e
一个
k
d
o
w
n
V
o
l
t
一个
g
e
0 20 40 60 80 100 120
V
ds,
流-至-源 电压 (v)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
25 50 75 100 125 150 175
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
E
一个
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
12A
17A
BOTTOM
75A
1 10 100 1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
tc = 25°c
tj = 175°c
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
直流
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