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资料编号:577148
 
资料名称:IRFB4310
 
文件大小: 383.68K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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
www.irf.com 5
1e-006 1e-005 0.0001 0.001 0.01 0.1
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
h
e
r
m
一个
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
C
)
0.20
0.10
d = 0.50
0.02
0.01
0.05
单独的 脉冲波
( 热的 回馈 )
注释:
1. 职责 因素 d = t1/t2
2. 顶峰 tj = p dm x zthjc + tc
图 13.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
图 14.
典型 avalanche 电流 vs.pulsewidth
图 15.
最大 avalanche 活力 vs. 温度
ri (°c/w)
τ
i (秒)
0.1962 0.00117
0.2542 0.016569
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
注释 在 repetitive avalanche 曲线 , 计算数量 14, 15:
(为 更远 信息, 看 一个-1005 在 www.irf.com)
1. avalanche failures assumption:
purely 一个 热的 phenomenon 和 失败 occurs 在 一个 温度 far 在
excess 的 t
jmax
. 这个 是 validated 为 每 部分 类型.
2. safe 运作 在 avalanche 是 允许 作 长 ast
jmax
是 不 超过.
3. 等式 在下 为基础 在 电路 和 波形 显示 在 计算数量 16a, 16b.
4. p
d (ave)
= 平均 电源 消耗 每 单独的 avalanche 脉冲波.
5. bv = 评估 损坏 电压 (1.3 因素 accounts 为 电压 增加
在 avalanche).
6. i
av
= 容许的 avalanche 电流.
7.
T
=
容许的 上升 在 接合面 温度, 不 至 超过
T
jmax
(assumed 作
25°c 在 图示 14, 15).
t
av =
平均 时间 在 avalanche.
d = 职责 循环 在 avalanche = t
av
·f
Z
thJC
(d, t
av
) = 瞬时 热的 阻抗, 看 计算数量 13)
P
d (ave)
= 1/2 ( 1.3·bv·i
av
) =
t/ z
thJC
I
av
=
2
t/ [1.3·bv·z
th
]
E
作 (ar)
= p
d (ave)
·t
av
1.0e-06 1.0e-05 1.0e-04 1.0e-03 1.0e-02 1.0e-01
tav (秒)
1
10
100
1000
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
0.05
职责 循环 = 单独的 脉冲波
0.10
允许 avalanche 电流 vs
avalanche pulsewidth, tav
假设
tj = 25°c 预定的 至
avalanche losses. 便条: 在 非
情况 应当 tj 是 允许 至
超过 tjmax
0.01
25 50 75 100 125 150 175
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
200
400
600
800
1000
E
一个
R
,
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
顶 单独的 脉冲波
bottom 1% 职责 循环
I
D
= 75a
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