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资料编号:577267
 
资料名称:RFD16N05LSM
 
文件大小: 47.83K
   
说明
 
介绍:
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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6-164
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
rfd16n05l,
RFD16N05LSM 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DS
50 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
50 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
搏动 流 电流 (便条 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
DM
16
45
一个
一个
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
±
10 V
最大 电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
减额 在之上 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60
0.48
W
w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 125
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250ma, v
GS
= 0v, 图示 10 50 - - V
门 至 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250ma, 图示 9 1 - 2 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 40v, v
GS
= 0v
T
C
= 150
o
C
-- 1
µ
一个
--50
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
10v, v
DS
= 0v - - 100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 16a, v
GS
= 5v - - 0.047
I
D
= 16a, v
GS
= 4v - - 0.056
转变-在 时间 t
(在)
V
DD
= 25v, i
D
= 8a,
V
gs =
5v, r
GS
= 12.5
计算数量 15, 16
- - 60 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-14 - ns
上升 时间 t
r
-30 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-42 - ns
下降 时间 t
f
-14 - ns
转变-止 时间 t
(止)
- - 100 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 40v,
I
D
= 16a,
R
L
= 2.5
计算数量 17, 18
- - 80 nC
门 承担 在 5v Q
g(5)
V
GS
= 0v 至 5v - - 45 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - - 3 nC
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 2.083
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
- - 100
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 16a - - 1.5 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 16a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 125 ns
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300ms, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
rfd16n05l, rfd16n05lsm
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