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资料编号:577285
 
资料名称:RFD14N05SM
 
文件大小: 157.91K
   
说明
 
介绍:
14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2002 仙童 半导体 公司 rfd14n05, rfd14n05sm, rfp14n05 rev. b1
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
图示 1.normalized 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 流 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
图示 4.向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5.顶峰 电流 能力
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25 50 75 100 125
150
1750
POWERDISSIP一个TIONMULTIPLIER
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
8
4
0
25 50 75 100 125 150
12
I
D
,DR一个INCURRENT(一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
16
175
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
1
10
-5
10
1
10
-4
THERM一个LIMPED一个NCE
Z
θ
J C,
NORM一个LIZED
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
P
DM
t
1
t
2
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
J 一个
x r
θ
J一个
+ t
一个
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
10 100
1
100
10
1
I
D
,DR一个INCURRENT(一个)
直流
100
µ
s
100ms
1ms
10ms
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
t, 脉冲波 宽度 (s)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
= 10v
100
I
DM
,PE一个KCURRENTC一个P一个BILITY(一个)
跨导
将 限制 电流
在 这个 区域
为 温度
在之上 25
o
c 减额 顶峰
电流 作 跟随:
V
GS
= 20v
II
25
175T
C
150
---------------------



=
rfd14n05, rfd14n05sm, rfp14n05
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