1997 二月 18 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 微波 电源 晶体管 RZ1214B35Y
热的 特性
T
j
=75
°
c 除非 否则 specified
注释
1. 看
“mounting recommendations 在 这 一般 部分 的 handbook sc19a”.
2. 相等的 热的 阻抗 下面 搏动 微波 运行 情况.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
应用 信息
这 晶体管 是 100% 测试 下面 这 下列的 情况
标识 参数 情况 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至 挂载-根基 5 k/w
R
th mb-h
热的 阻抗 从 挂载-根基 至 散热器 便条 1 0.2 k/w
Z
th j-h
热的 阻抗 从 接合面 至 散热器 t
p
= 100
µ
s;
δ
=10%;
注释 1 和 2
1 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 20 毫安; i
E
=0 65
−
V
V
(br)ces
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 20 毫安; r
是
=0 60
−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
C
= 0; i
E
=3mA 3
−
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=50v; i
E
=0
−
2mA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 1.5 v; i
C
=0
−
0.2 毫安
模式 的
运作
情况
f
(ghz)
V
CC
(v)
P
L
(w)
G
p
(db)
η
C
(%)
Z
i
; z
L
(
Ω
)
类-C
t
p
= 150
µ
s;
δ
= 5% 1.2 至 1,4 50 典型值.40; >35 典型值.7.8; >7 典型值.35; >35 看 图 4
t
p
= 300
µ
s;
δ
= 10% 1.2 至 1,4 50 典型值.40; 典型值.7 典型值.35 看 图 4
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