产品 overview S3C4510B
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表格 1-3. s3c4510b 垫子 类型
垫子 类型 i/o 类型 电流
驱动
cell 类型 特性 回转-比率
控制
ptic I – lvcmos 水平的 5 v-tolerant –
ptis I – lvcmos schmit 触发 水平的 5 v-tolerant –
pticu I – lvcmos 水平的 5 v-tolerant
拉-向上 寄存器
–
pticd I – lvcmos 水平的 5 v-tolerant
拉-向下 寄存器
–
pia_bb I – 相似物 输入 和 seperate 大(量) 偏差 – –
pob1 O 1 毫安 正常的 缓存区 – –
ptot2 O 2 毫安 触发-状态 缓存区 5 v-tolerant –
pob4 O 4 毫安 正常的 缓存区 – –
ptot4 O 4 毫安 触发-状态 缓存区 5 v-tolerant –
ptot6 O 6 毫安 触发-状态 缓存区 5 v-tolerant –
ptbsut1 i/o 1 毫安 lvcmos schmit 触发 水平的
触发-状态 缓存区
5 v-tolerant
拉-向上 寄存器
–
ptbcut4 i/o 4 毫安 lvcmos 水平的 触发-状态 缓存区 5 v-tolerant 中等
ptbcd4 i/o 4 毫安 lvcmos 水平的 打开 流 缓存区 5 v-tolerant –
ptbst4sm i/o 4 毫安 lvcmos schmit 触发 水平的 5 v-tolerant 中等
Ptbsut6 i/o 6 毫安 lvcmos schmit 触发 水平的 5 v-tolerant
拉-向上 寄存器
–
便条:
pticu 和 pticd 提供 100k ohm 拉-向上(向下) 寄存器. 为 detail 信息 关于 这 垫子 类型, 看 chapter 4.
输入/输出 cells 的 这 "std90/mdl90 0.35 um 3.3 v 标准 cell 库 数据 book", 生产 用 samsung
electrionic co., 有限公司, asic team.
64*f
MCLK
512*f
MCLK
nRESET
nRSCO
便条
: 之后这 下落 边缘 的 nreset, 这 s3c4510b 计数 64 循环 为 一个 系统 重置
和 needs 更远 512 循环 为 一个 tag 内存 clear 的 cache.
之后 这se 循环, 这 s3c4510b asserts nrcs0 当 这 nreset 是 released.
图示 1-3. 重置 定时 图解
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