修订 描述
1. chapther 20 电的 数据
表格 20-15. 内部的 flash 只读存储器 电的 特性 (页 20-15)
(t
一个
= –25
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
= 2.0 v 至 3.6 v)
参数 标识 conditions 最小值 典型值 最大值 单位
程序编制 时间
(1)
ftp – 30 – –
µ
s
碎片 erasing 时间
(2)
Ftp1 50 – – ms
sector erasing 时间
(3)
Ftp2 10 – – ms
数据 进入 时间
Ft
RS
– 25 – ns
号码 的 writing/erasing
FN
我们
– – –
10,000
(4)
时间
注释:
1. 这 程序编制 时间 是 这 时间 在 这个 一个 字节 (8-位) 是 编写程序.
2. 这 碎片 erasing 时间 是 这 时间 在 这个 所有 64k 字节 块 是 erased.
3. 这 sector erasing 时间 是 这 时间 在 这个 所有 128 字节 块 是 erased.
4. 最大 号码 的 writing/erasing 是 10,000 时间 为 全部-flash(s3f828b) 和 100 时间 为 half-flash
(s3f8289/f8285).
5. 这 碎片 erasing 是 有 在 tool 程序 模式 仅有的.
表格 20-6. 一个/d 转换器 电的 特性
(t
一个
= –25
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
= 2.7 v 至 3.6 v, v
SS
= 0 v)
参数 标识 Conditions 最小值 典型值 最大值 单位
相似物 输入 电压
V
IAN
–
V
SS
–
AV
REF
V
相似物 输入
阻抗
R
一个
– 2 1000 –
M
Ω
相似物 涉及
电压
AV
REF
–
2.0 –
V
DD
V
2. chapther 19. embedded flash 记忆 接口
这个 chapter 是 修改 为 仅有的 s3f828b.
3. chapther 12. 16-位 计时器 0/1
这 figure12-2 情况 ‘match 信号’ 应当 是 moved 在 这 页 12-3.
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