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资料编号:589689
 
资料名称:S3P72H8
 
文件大小: 184.22K
   
说明
 
介绍:
The S3C72H8 single-chip CMOS microcontroller has been designed for very high performance using Samsungs state-of-the-art 4-bit product development app
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 数据 s3c72h8/p72h8
16-6
表格 16-5. subsystem 时钟 振荡器 特性
(t
一个
= – 40
°
c + 85
°
c, v
DD
=1.8v 至5.5v)
振荡器 时钟
配置
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
结晶
振荡器
XT
XT
输出
C1 C2
振动 频率
(1)
32 32.768 35 kHz
stabilization 时间
(2)
V
DD
= 4.5 v 至5.5V
1.0 2 s
V
DD
=1.8v 至 4.5 v
10
外部
时钟
XT
XT
输出
XT
输入 频率
(1)
32 100 kHz
XT
输入 高 和 低
水平的 宽度 (t
XTL
, t
XTH
)
5 15 美国
注释:
1. 振动 频率 和 xt
输入 频率 数据 是 为 振荡器 特性 仅有的.
2. stabilization 时间 是 这 间隔 必需的 为 oscillating stabilization 之后 一个 电源-在 occurs.
表格 16-6. 一个.c. 电的 特性
(t
一个
= – 40
°
C至 + 85
°
c, v
DD
= 1.8 v 至 5.5v)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
操作指南 cycle
t
CY
V
DD
=2.7 v 至 5.5V
0.67 64 µs
time
(1)
V
DD
=1.8v 至5.5 v
1.33 64
TCL0, fcl输入
f
TI0,
f
TI0
V
DD
=2.7v 至5.5V
0 1.5 MHz
frequency
V
DD
=1.8 v 至 5.5v
1
TCL0, fclinput
t
tih0,
t
TIL0
V
DD
=2.7v 至5.5V
150 ns
high,低 width
t
FCH,
t
FCL
V
DD
=1.8v 至5.5 v
250
中断 输入
t
inth,
INT0 (2) µs
高, 低 宽度
t
INTL
int1, int2 (ks0-ks3) 10
重置输入 低
宽度
t
RSL
输入 10 µs
注释
1. Unless 否则 指定, 操作指南 循环 时间 情况 值 假设 一个 main 系统 时钟 (fx) 源.
2. 最小 值 为 int0 是 为基础 在 一个 时钟 的 2t
CY
或者 128/fx 作 assigned 用 这 imod0 寄存器 设置.
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