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资料编号:589689
 
资料名称:S3P72H8
 
文件大小: 184.22K
   
说明
 
介绍:
The S3C72H8 single-chip CMOS microcontroller has been designed for very high performance using Samsungs state-of-the-art 4-bit product development app
 
 


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s3c72h8/p72h8 S3P72h8 otp
18-3
表格 18-1. 管脚 描述 使用 至 读/写 这 非易失存储器
主要的 碎片 在 程序编制
管脚 名字 管脚 名字 管脚 非. i/o 函数
p0.1 SDAT 7 i/o 串行 数据 管脚. 输出 端口 当 读 和
输入 端口 当 writing 能 是 assigned 作
输入/推-拉 输出 端口 各自.
p0.2 SCLK 8 i/o 串行 时钟 管脚. 输入 仅有的 管脚.
测试
V
PP
(测试)
13 I 电源 供应 管脚 为 非易失存储器 cell writing
(indicates 那 otp enters 在 这 writing
模式). 当 12.5 v 是 应用, otp 是 在
writing 模式 和 当 5 v 是 应用, otp 是 在
读 模式. (选项)
重置 重置 16 I 碎片 initialization
V
DD
/ v
SS
V
DD
/ v
SS
9/10 I
逻辑 电源 供应 管脚. v
DD
应当 是 系 至
+ 5 v 在 程序编制.
表格 18-2. comparison 的 s3p72h8 和 s3c72h8 特性
典型的 S3P72H8 S3C72H8
程序 记忆 8 k-字节 非易失存储器 8 k-字节 掩饰 只读存储器
运行 电压 (v
DD
)
1.8 v 至 5.5 v 1.8 v 至 5.5 v
otp 程序编制 模式
V
DD
= 5 v, v
PP
(测试) = 12.5 v
管脚 配置 64 qfp 64 qfp
非易失存储器 programmability 用户 程序 1 时间 编写程序 在 这 工厂
运行 模式 特性
当 12.5 v 是 有提供的 至 这 v
PP
(测试) 管脚 的 这 s3p72h8, 这 非易失存储器 程序编制 模式 是 entered. 这
运行 模式 (读, 写, 或者 读 保护) 是 选择 符合 至 这 输入 信号 至 这 管脚 列表 在
表格 18-3 在下.
表格 18-3. 运行 模式 选择 criteria
V
DD
V
PP
(测试)
reg/
MEMMEM
地址
(a15-a0)
r/
WW
模式
5 v 5 v 0 0000H 1 非易失存储器 读
12.5v 0 0000H 0 非易失存储器 程序
12.5v 0 0000H 1 非易失存储器 核实
12.5v 1 0E3FH 0 非易失存储器 读 保护
便条:
"0" 意思 低 水平的; "1" 意思 高 水平的.
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