tms44400, tms44400p, tms46400, tms46400p
1048576-文字 用 4-位
动态 随机的-进入 memories
smhs562c – 将 1995 – 修订 十一月 1996
3
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
运作
增强 页 模式
增强-页-模式 运作 准许 faster 记忆 进入 用 keeping 这 一样 行 地址 当
selecting 随机的 column 地址. 这 时间 为 行-地址 建制 和 支撑 和 地址 multiplex 是
eliminated. 这 最大 号码 的 columns 那 能 是 accessed 是 决定 用 这 最大 ras
低
时间 和 这 cas
页 循环 时间 使用. 和 最小 cas页 循环 时间, 所有 1024 columns 指定 用
column 地址 a0 通过 a9 能 是 accessed 没有 intervening ras
循环.
不像 常规的 页-模式 drams, 这 column-地址 缓存区 在 这个 设备 是 使活动 在 这 下落
边缘 的 ras
. 这 缓存区 act 作 transparent 或者 流动-通过 latches 当 cas 是 高. 这 下落 边缘 的 cas
latches 这 column 地址. 这个 特性 准许 这 tms4x400 至 运作 在 一个 高等级的 数据 带宽 比
常规的 页-模式 部分 因为 数据 retrieval begins 作 soon 作 这 column 地址 是 有效的 相当 比
当 cas
transitions 低. 这个 效能 改进 是 涉及 至 作 增强 页 模式. 一个 有效的
column 地址 能 是 提交 立即 之后 行-地址 支撑 时间 有 被 satisfied, 通常地 好 在
进步 的 这 下落 边缘 的 cas
. 在 这个 情况, 数据 是 得到 之后 t
CAC
最大 (进入 时间 从 cas
低) 如果 t
AA
最大 (进入 时间 从 column 地址) 有 被 satisfied. 在 这 事件 那 column 地址
为 这 next 循环 是 有效的 在 这 时间 cas
变得 高, 进入 时间 为 这 next 循环 是 决定 用 这 后来的
occurrence 的 t
CAC
(acces 时间 从 cas低) 或者 t
CPA
(进入 时间 从 column precharge).
地址 (a0–a9)
twenty 地址 位 是 必需的 至 decode 任何 一个 的 这 1048576 存储-cell locations. ten 行-地址
位 是 设置 向上 在 输入 a0 通过 a9 和 latched 面向 这 碎片 用 ras
. 这 ten column-地址 位 是 设置
向上 在 a0 通过 a9 和 latched 面向 这 碎片 用 cas
. 所有 地址 必须 是 稳固的 在 或者 在之前 这 下落
edges 的 ras
和 cas. ras是 类似的 至 一个 碎片 使能 因为 它 activates 这 sense 放大器 作 好 作 这
行 解码器. cas
是 使用 作 一个 碎片 选择, activating 这 输出 缓存区, 作 好 作 闭锁 这 地址 位 在
这 column-地址 缓存区.
写 使能 (w
)
这 读 或者 写 模式 是 选择 通过 w
输入. 一个 逻辑 高 在 w 选择 这 读 模式 和 一个 逻辑 低
选择 这 写 模式. w
能 是 驱动 从 标准 ttl 电路 (TMS44400/p) 或者 低 电压 ttl 电路
(TMS46400/p) 没有 一个 pullup 电阻. 这 数据 输入 是 无能 当 这 读 模式 是 选择. 当 w
变得 低 较早的 至 cas(early 写), 数据 输出 仍然是 在 这 高-阻抗 状态 为 这 全部 循环, permitting
一个 写 运作 独立 的 这 状态 的 oe
. 这个 准许 early-写 运作 至 完全 和 oe
grounded.
数据 在/输出 (dq1–dq4)
数据 输出 是 这 一样 极性 作 数据 在. 这 输出 是 在 这 高-阻抗 (floating) 状态 直到 cas
和 oe
是 brought 低. 在 一个 读 循环, 这 输出 变为 有效的 之后 所有 进入 时间 是 satisfied. 这 输出 仍然是
有效的 当 cas
和 oe是 低. cas 或者 oegoing 高 returns 这 输出 至 一个 高-阻抗 状态. 这个 是
accomplished 用 bringing oe
高 较早的 至 应用 数据, satisfying 这 oe至 数据 延迟 支撑 时间 (t
OED
).
输出 使能 (oe
)
OE
控制 这 阻抗 的 这 输出 缓存区. 当 oe是 高, 这 缓存区 仍然是 在 这 高-阻抗
状态. bringing oe
低 在 一个 正常的 循环 activates 这 输出 缓存区, putting 它们 在 这 低-阻抗
状态. 它 是 需要 为 两个都 ras
和 cas至 是 brought 低 为 这 输出 缓存区 至 go 在 这 低-阻抗
状态. 它们 仍然是 在 这 低-阻抗 状态 直到 也 oe
或者 cas是 brought 高.
进步 信息
: 点此下载
