tms44400, tms44400p, tms46400, tms46400p
1048576-文字 用 4-位
动态 随机的-进入 memories
smhs562c – 将 1995 – 修订 十一月 1996
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•
houston, 德州 77251–1443
refresh
一个 refresh 运作 必须 是 执行 在 least once 每 16 ms (128 ms 为 tms4x400p) 至 retain 数据. 这个
能 是 达到 用 strobing 各自 的 这 1024 rows (a0–a9). 一个 正常的 读 或者 写 循环 refreshes 所有 位 在
各自 行 那 是 选择. 一个 ras
-仅有的 运作 能 是 使用 用 支持 cas在 这 高 (inactive) 水平的,
conserving 电源 作 这 输出 缓存区 仍然是 在 这 高-阻抗 状态. externally 发生 地址
必须 是 使用 为 一个 ras
-仅有的 refresh. hidden refresh 能 是 执行 当 维持 有效的 数据 在 这
输出. 这个 是 accomplished 用 支持 cas
在 v
IL
之后 一个 读 运作 和 cycling ras之后 一个 指定
precharge 时期, 类似的 至 一个 ras
-仅有的 refresh 循环. 这 外部 地址 是 ignored 在 这 hidden-refresh
循环.
CAS
-在之前-ras(cbr) refresh
cbr refresh 是 使用 用 bringing cas
低 早期 比 ras(看 参数 t
CSR
) 和 支持 它 低 之后 ras
falls (看 参数 t
CHR
). 为 successive cbr refresh 循环, cas能 仍然是 低 当 cycling ras. 这
外部 地址 是 ignored 和 这 refresh 地址 是 发生 内部.
一个 低-电源 电池-backup refresh 模式 那 需要 较少 比 300-
µ
一个 (tms46400p) 或者 500-
µ
一个
(tms44400p) refresh 电流 是 有 在 这 低-电源 设备. 数据 integrity 是 maintained 使用 cbr
refresh 和 一个 时期 的 125
µ
s 当 支持 ras
低 为 较少 比 1
µ
s. 至 降低 电流 消耗量, 所有
输入 水平 需要 至 是 在 cmos 水平 (V
IL
≤
0.2 v, v
IH
≥
V
CC
– 0.2 v).
自 refresh
这 自-refresh 模式 是 entered 用 dropping cas
低 较早的 至 ras going 低. cas和 ras是 两个都 使保持 低
为 一个 最小 的 100
µ
s. 这 碎片 是 然后 refreshed 用 一个 在-板 振荡器. 非 外部 地址 是 必需的
自从 这 cbr 计数器 是 使用 至 保持 追踪 的 这 地址. 至 exit 这 自-refresh 模式, 两个都 ras
和 cas
是 brought 高 至 satisfy t
CHS
. 在之上 exiting 这 自-refresh 模式, 一个 burst refresh (refresh 一个 全部 设置 的 行
地址) 必须 是 executed 在之前 continuing 和 正常的 运作, 至 确保 那 这 dram 是 全部地
refreshed.
电源 向上
至 达到 恰当的 设备 运作, 一个 最初的 pause 的 200
µ
s followed 用 一个 最小 的 第八 initialization 循环
是 必需的 之后 全部 v
CC
水平的 是 达到. 这些 第八 initialization 循环 必须 包含 在 least 一个 refresh
(RAS
-仅有的 或者 cbr) 循环.
测试 模式
这 测试 模式 是 initiated 和 一个 cbr refresh 循环 当 同时发生地 支持 w
低 (wcbr). 这 entry 循环
执行 一个 内部的 refresh 循环 当 内部 设置 这 设备 至 执行 并行的 读 或者 写 在
subsequent 循环. 当 在 测试 模式, 任何 desired 数据 sequence 能 是 执行 在 这 设备. 这 设备
exits 测试 模式 如果 一个 cbr refresh 循环 和 w
使保持 高 或者 一个 ras-仅有的 refresh (ror) 循环 是 执行.
这 tms4x400/p 是 配置 作 一个 512k
×
8 位 设备 在 测试 模式, 在哪里 各自 dq 管脚 有 一个 独立的 2-位
并行的 读- 和 写-数据 总线. 在 一个 读 循环, 这 二 内部的 位 是 对照的 为 各自 dq 管脚
separately. 如果 这 二 位 同意, 这 dq 管脚 变得 高; 如果 不, 这 dq 管脚 变得 low. 这 二 位 是 写 至
反映 这 状态 的 它们的 各自的 dq 管脚 在 一个 并行的-写 运作. 各自 dq 管脚 是 独立 的 这
其他, 和 任何 数据 模式 desired 能 是 写 在 各自 dq 管脚. 测试 时间 是 减少 用 一个 因素 的 4 为
这个 序列.
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