tms44400, tms44400p, tms46400, tms46400p
1048576-文字 用 4-位
动态 随机的-进入 memories
smhs562c – 将 1995 – 修订 十一月 1996
6
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度 (除非 否则 指出)
参数
测试
情况
’44400- 60
’44400P- 60
’44400- 70
’44400P- 70
’44400- 80
’44400P- 80
单位
参数
情况
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
V
OH
高-水平的 输出 电压 I
OH
= – 5 毫安 2.4 2.4 2.4 V
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
OL
= 4.2 毫安 0.4 0.4 0.4 V
I
I
输入 电流 (泄漏)
V
CC
= 5.5 v,
V
I
= 0 v 至 6.5 v,
所有 其他 = 0 v 至 v
CC
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
O
输出 电流 (泄漏)
V
CC
= 5.5 v, V
O
= 0 v 至 v
CC
,
CAS
高
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
CC1
读- 或者 写-循环 电流
(看 便条 3)
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环 105 90 80 毫安
I Sdb
之后 一个 记忆 循环,
RAS
和 cas高,
V
IH
= 2.4 v ( ttl)
2 2 2 毫安
I
CC2
备用物品 电流
之后 一个 记忆
循环, ras
和 cas
高
’44400 1 1 1 毫安
高,
V
IH
= v
CC
– 0.2 v
(cmos)
’44400P 500 500 500
µ
一个
I
CC3
平均 refresh 电流
(ras
仅有的 或者 cbr)
(看 便条 4)
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环,
RAS
cycling,
CAS
高 (ras仅有的);
RAS
低 之后 cas低 (cbr)
105 90 80 毫安
I
CC4
平均 页
电流
(看 注释 3 和 5)
V
CC
= 5.5 v, t
PC
= 最小值,
RAS
低, CAScycling
90 80 70 毫安
I
CC6
†
自-refresh 电流
(看 便条 3)
CAS
≤
0.2 v, ras < 0.2 v,
t
RAS
和 t
CAS
> 1000 ms
500 500 500
µ
一个
I
CC7
备用物品 电流, 输出
使能 (看 便条 3)
RAS= v
IH
, CAS= v
IL
,
数据 输出 = 使能
5 5 5 毫安
I
CC10
†
电池-backup 电流
(和 cbr)
t
RC
= 125
µ
s, t
RAS
≤
1 ms,
V
CC
– 0.2 v
≤
V
IH
≤
6.5 v,
0 v
≤
V
IL
≤
0.2 v,
W
和 oe= v
IH
,
地址 和 数据 稳固的
500 500 500
µ
一个
†
为 tms44400p 仅有的
注释: 3. I
CC
最大值 是 指定 和 非 加载 连接.
4. 量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 ras
= v
IL
5. 量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 cas
= v
IH
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