tms44400, tms44400p, tms46400, tms46400p
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smhs562c – 将 1995 – 修订 十一月 1996
7
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度 (除非 否则 指出)
参数
测试
情况
’46400- 60
’46400P- 60
’46400- 70
’46400P- 70
’46400- 80
’46400P- 80
单位
参数
情况
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
V
OH
高-水平的
I
OH
= – 2 毫安 (lvttl) 2.4 2.4 2.4
V
V
OH
高 水平的
输出 电压
I
OH
= – 100
µ
一个 (lvcmos)
V
CC
– 0.2 V
CC
– 0.2 V
CC
– 0.2
V
V
OL
低-水平的
I
OL
= 2 毫安 (lvttl) 0.4 0.4 0.4
VV
OL
低 水平的
输出 电压
I
OL
= 100
µ
一个 (lvcmos)
0.2 0.2 0.2
V
I
I
输入 电流
(泄漏)
V
I
= 0 v 至 3.9 v, V
CC
= 3.6 v,
所有 其他 = 0 v 至 v
CC
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
O
输出 电流
(泄漏)
V
O
= 0 v 至 v
CC
,v
CC
= 3.6 v,
CAS
高
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
CC1
读- 或者
写-循环
电流
(看 便条 3)
最小 循环, V
CC
= 3.6 v 70 60 50 毫安
I
Sdb
之后 一个 记忆 循环,
RAS
和 cas高,
V
IH
= 2 v (lvttl)
2 2 2 毫安
I
CC2
备用物品
电流
之后 一个 记忆
循环, ras
和 cas
高
’46400 300 300 300
µ
一个
高,
V
IH
= v
CC
– 0.2 v
(lvcmos)
’46400P 200 200 200
µ
一个
I
CC3
平均
refresh 电流
(ras
仅有的 或者
cbr)
(看 便条 4)
最小 循环, V
CC
= 3.6 v,
RAS
cycling,
CAS
高 (ras仅有的);
RAS
低 之后 cas低 (cbr)
70 60 50 毫安
I
CC4
平均 页
电流
(看 注释 3
和 5)
t
PC
= 最小值, V
CC
= 3.6 v,
RAS
低, CAScycling
60 50 40 毫安
I
CC6
†
自-refresh
电流
(看 便条 3)
CAS
≤
0.2 v, ras < 0.2 v,
t
RAS
和 t
CAS
> 1000 ms
200 200 200
µ
一个
I
CC7
备用物品
电流,
输出
使能
(看 便条 3)
RAS= v
IH
, CAS= v
IL
,
数据 输出 = 使能
5 5 5 毫安
I
CC10
†
电池-backup
电流
(和 cbr)
t
RC
= 125
µ
s, t
RAS
≤
1 ms,
V
CC
– 0.2 v
≤
V
IH
≤
3.9 v,
0 v
≤
V
IL
≤
0.2 v,
W
和 oe= v
IH
,
地址 和 数据 稳固的
300 300 300
µ
一个
†
为 tms46400p 仅有的
注释: 3. I
CC
最大值 是 指定 和 非 加载 连接.
4. 量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 ras
= v
IL
5. 量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 cas
= v
IH
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