sab 80c517a/83c517a-5
半导体 组 19 1994-05-01
数据 记忆 ('代号 空间')
这 数据 记忆 空间 组成 的 一个 内部的 和 一个 外部 记忆 空间. 这
sab 80c517a 包含 另一 2 kbyte 在 在-碎片 内存 在之上 这 256-字节 内部的 内存
的 这 根基 类型 sab 80c517. 这个 内存 是 called xram 在 这个 文档.
外部 数据 记忆
向上 至 64 kbyte 外部 数据 记忆 能 是 addressed 用 说明 那 使用 8-位 或者 16-位
间接的 寻址. 为 8-位 寻址 movx 说明 在 结合体 和 寄存器 r0
和 r1 能 是 使用. 一个 16-位 外部 记忆 寻址 是 supported 用 第八 16-位
datapointers. 寄存器 xpage 和 syscon 是 controlling whether 数据 fetches 在
地址 f800
H
至 ffff
H
是 完毕 从 内部的 xram 或者 从 外部 数据 记忆.
内部的 数据 记忆
这 内部的 数据 记忆 是 分隔 在 四 physically distinct blocks:
–这 更小的 128 字节 的 内存 包含 四 banks containing 第八 寄存器 各自
–这 upper 128 字节 的 内存
–这 128 字节 特定的 函数 寄存器 范围.
–一个 2 k
×
8 范围 这个 是 accessed 像 外部 内存 (movx-说明), 执行 在
碎片 在 这 地址 范围 从 f800
H
至 ffff
H
. 特定的 函数 寄存器 syscon
控制 whether 数据 是 读 或者 写 至 xram 或者 外部 内存.
一个 mapping 的 这 内部的 数据 记忆 是 也 显示 在 图示 2. 这 overlapping 地址
spaces 是 accessed 用 不同的 寻址 模式 (看 用户's 手工的 sab 80c517). 这
堆栈 能 是 located anywhere 在 这 内部的 数据 记忆.
architecture 为 这 xram
这 内容 的 这 xram 是 不 影响 用 一个 重置 或者 hw 电源 向下. 之后 电源-向上 这
内容 是 未阐明的, 当 它 仍然是 不变 在 和 之后 一个 重置 或者 hw 电源 向下
如果 这 电源 供应 是 不 转变 止.
这 额外的 在-碎片 内存 是 logically located 在 这 "外部 数据 记忆" 范围 在 这
upper 终止 的 这 64 kbyte 地址 范围 (f800
H
-ffff
H
). 它 是 可能 至 使能 和 使不能运转
(仅有的 用 重置) 这 xram. 如果 它 是 无能 这 设备 显示 这 一样 behaviour 作 这 部分
没有 xram, i.e. 所有 movx accesses 使用 这 外部 总线 至 physically 外部 数据
记忆.
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