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2004 semtech corp.
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电源 管理
SC1189
Theory 的 运作 (直线的 ocp)
这 直线的 控制者 在 这 sc1189 有 建造 在
overcurrent 保护 (ocp). 一个 overcurrent 是 assumed
至 有 occured 当 这 外部 场效应晶体管 是 转变 全部地 在
和 这 输出 currrent 是 r
ds(在)
限制, 这个 是 发现
用 这 门 电压 going very 高 当 这 输出 volt-
age 是 在下 大概 40% 的 它’s 选点. 至 准许
为 电容 charging 和 非常 短的 overcurrent dura-
tions, 这 门 电压 是 ramped 非常 慢速地 upwards 当-
总是 这 输出 电压 是 在下 这 ocp 门槛. 至
保证 那 这 ldo 输出 电压 是 有能力 的 reach-
ing 它’s 选点, 这 门 驱动 是 无能 直到 两个都 ldov
欠压 lockout (uvlo) 和 ldoen 门槛 val-
ues 是 超过, ensuring 那 那里 是 sufficient 门
驱动 能力 和 sufficient ldo 输入 电压 capabil-
ity. 一个 块 图解 的 一个 ldo 控制 是 显示 在下.
+
-
gm
+
-
LDOV
1.3v
ldov-0.7v
10nA
LDOSx
+
-
12V
重置 用
ldov 低
VREF
10pF
R
S
Q
14uA
1.26v
+
-
GATEx
R
+
-
R1
R
+
AGND
LDOEN
LDOV
Vout
3.3v
R2
转变 关闭
在 低
C
RAMP
S1
在 一个 正常的 开始-向上, once ldov 和 ldoen 有
reached 它们的 门槛, 这 gatex 管脚 是 released 和
C
RAMP
是 charged 用 10na 造成 这 gatex 电压 至
ramp 在 10na/10pf = 1v/ms. once 这 gatex 输出 有
ramped 至 这 外部 场效应晶体管 门槛, vout 开始 至 ramp
向上, 下列的 gatex. 当 vout reaches 这 ocp thresh-
old, 大概 40% 的 选点, 转变 s1 是 关闭
和 gatex ramps 向上 在 一个 更 faster 比率, followed 用
vout, 直到 vout reaches 选点 和 这 循环 settles 在
稳步的 状态 规章制度.
1v/ms
门
Vout
vout/2
1.4v/美国
时间
startup 和 非 短的 电路
如果 在 一些 后来的 时间, 一个 短的 电路 是 应用 至 这 输出-
放, 这 gatex 电压 将 ramp 向上 quickly 作 vout falls 至
尝试 和 维持 规章制度. once vout 有 fallen 至 这
ocp 门槛, 转变 s1 将 打开 和 这 门 将 con-
tinue ramping 在 这 1v/ms 比率. 如果 这 短的 是 不 re-
moved 在之前 这 gatex 输出 reaches 大概
ldov - 0.7v, 这 gatex 管脚 将 是 latched 低, disabling
这 ldo
1v/ms
门
ldov-0.7v
vout/2
Vout
短的
应用
时间
短的 电路 之后 startup
如果 这 ldo tries 至 开始 在 一个 短的, 这 门 ramps 在 这
1v/ms 比率 至 ldov - 0.7v, 在哪里 这 gatex 管脚 将 是
latched 低.
1v/ms
门
ldov-0.7v
时间
startup 在 短的 电路
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