SC1205
高 速 同步的 电源
场效应晶体管 驱动器
© 1999 semtech corp. 652 mitchell road 新bury 园区 ca 91320
初步的 - 12月 7, 1999
10
能 常常 eliminate 这 emi 公布. 如果 翻倍 pulsing 是
造成 预定的 至 excessive ringing, 放置 4.7-10 ohm
电阻 在 这 阶段 node 和 这 drn 管脚 的
这 sc1205 应当 eliminate 这 翻倍 pulsing.
恰当的 布局 will保证 最小 ringing 和
eliminate 这 需要 为 外部 组件. 使用 的
所以-8 或者 其它 surface 挂载 mosfets 当 increas-
ing 热的 阻抗, 将 reduce 含铅的 电感 作
好 作 radiated emi.
在 温度 关闭
这 sc1205 will 关闭 用 拉 两个都 驱动器 如果 它的
接合面 温度, tj, 超过 165 °c.
While 不 显示 在 图示 3, 一个 电容 将 是
增加 从 这 门 的 这 bottom 场效应晶体管 至 它的 源,
preferably 较少 比 .1” away. 这个 电容 will 是
增加 至 ciss 在 这 above 等式 至 减少 这 ef-
fective 尖刺 voltage, vspike.
这 选择 的 这 bottom 场效应晶体管 必须 是 完毕
和 注意 paid 至 这 crss/ciss 比率. 一个 低 比率
减少 这 miller feedback 和 因此 减少 vspike.
也 mosfets 和 高等级的 转变-在 门槛 voltages
将 conduct 在 一个 高等级的 voltage 和 will 不 转变 在
在 这 尖刺. 这 场效应晶体管 显示 在 这
图式 (图示 3) 有 一个 2 volt 门槛 和 will re-
quire 大概 4.5 volts vgs 至 是 组织,
因此 减少 这 possibility 的 shoot-通过. 一个 零
ohm bottom 场效应晶体管 门 电阻 将 obviously 帮助
keeping 这 门 voltage 低.
ultimately, slowing 向下 这 顶 场效应晶体管 用 adding 门
阻抗 将 reduce di/dt 这个 will 在 转变 制造 这
effective 阻抗 的这 电容 高等级的, 因此 al-
lowing 这 bg driver 至 支撑 这 bottom 门 voltage
低. 它 做 这个 在 这 费用 的 增加 切换
时间 ( 和 切换 losses) f或者 这 顶 场效应晶体管.
ringing 在 这 阶段 node
这 顶 场效应晶体管 源 必须 是 关闭 至 这 bottom
场效应晶体管 流 至 prevent ringing 和 这 possibility 的
这 阶段 node going negative. 这个 频率 是
决定 用:
F
环绕
=1/(2¶* sqrt(l
st
*coss))
Where:
L
st
= 这 effective 偏离 电感 的这 顶 场效应晶体管
增加 至 查出 电感 的这 连接 在
顶 场效应晶体管’s 源 和 这 bottom 场效应晶体管’s 流 增加 至
这 查出 阻抗 的这 bottom 场效应晶体管’s 地面 con-
nection.
coss=流 至 源 电容 的bottom 场效应晶体管. 如果
那里 是 一个 shottkey 使用, 这 电容 的这 shot-
tkey 是 增加 至 这 value.
虽然 这个 ringing 做 不 pose 任何 电源 losses
预定的 至 一个 fairly 高 q, 它 可以 导致 这 阶段 node
至 go too far negative, 因此 造成 improper opera-
tion, 翻倍 pulsing 或者 在 worst driver 损坏. 在 这
sc1205, 这 流 node, drn, 能 go 作 far 作 2v
在下 地面 没有 影响 运作 或者 sustaining
损坏.
这 ringing 是 也 一个 emi nuisance 预定的 至 它的 高
resonant frequency. adding 一个 电容, 典型地
1000-2000pf, 在 并行的 和 coss 的 这 bottom 场效应晶体管
: 点此下载
