SD103A–SD103C
Vishay
半导体
2 (4) rev. 1, 22-十一月-00
www.vishay.com 文档 号码 85633
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
反转 损坏
SD103A V
(br)r
40 V
反转 损坏
电压
I
R
=10
m
一个 SD103B V
(br)r
30 V
电压
R
m
SD103C V
(br)r
20 V
V
R
= 30 v SD103A I
R
5
m
一个
泄漏 电流 V
R
= 20 v SD103B I
R
5
m
Ag
V
R
= 10 v SD103C I
R
5
m
一个
向前 电压 漏出
I
F
=20mA V
F
0.37 V
向前 电压 漏出
I
F
=200mA V
F
0.6 V
接合面 电容 V
R
= 0 v, f= 1mhz C
D
50 pF
反转 恢复 时间 I
F
=I
R
=50 至 200ma, recover 至 0.1 i
R
t
rr
10 ns
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
i – 向前 电流 ( 毫安)
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V
F
– 向前 电压 ( mv )
16765
F
1000
100
10
1
0.1
0.01
图示 1. 向前 电流 vs. 向前 电压
i – 向前 电流 ( 一个)
0
1
2
3
4
5
0 0.5 1.0 1.5 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
16766
F
图示 2. 向前 电流 vs. 向前 电压
1
10
100
1000
10000
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
16767
m
i – 反转 电流 ( 一个 )
R
图示 3. 反转 电流 vs. 接合面 温度
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30
V
R
– 反转 电压 ( v )
16768
c – 二极管 电容 ( pf )
D
f=1MHz
图示 4. 二极管 电容 vs. 反转 电压
: 点此下载
