直线的 整体的 系统, 公司
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principle 的 运作
图示 1 depicts 一个 n-频道 增强-
模式 设备 和 一个 insulated 门 和
asymmetrical 结构.这 门 保护
齐纳 是 显示 和 broken 线条 至 表明
那, 虽然 它 是 present 在 这 碎片,它 是 不 一个
主要的 constituent 的 这 基本的 转变
结构.
这 dmos 地方-效应 晶体管 (场效应晶体管) 是
正常情况下 止 当 这 门-至-源 电压
(v
GS
) 是 0 v. 这 lateral dmos 晶体管,
显示 在 交叉-部分在 图示 2, 有 三
terminals (源, 门, 和 流) 在 这 顶
表面 和 一个 (这 身体 或者 基质) 在 这
bottom. 一个 齐纳 二极管 和 一个 损坏
电压 的 近似的ly 40 v 是 增加 至
保护 这 门 相反 超（电）压 和
静电的 discharges.
这 翻倍-diffusion 处理creates 一个 薄的 自-
aligning 区域 的 p-类型材料, isolating 这
源 从 这 流 区域. 这 非常 短的
频道 长度 那 结果 在 这 二
接合面 depths 生产 极其 低 源-
至-流 和 门-至-流 capacitances 在 这
一样 时间 那 它 提供 好的 损坏
电压.
当 这 门 潜在的 是 equal 至 或者 负的
和 遵守 至 这 源, 这 转变 是 止. 在
这个 状态, 这 p-类型 材料 在 这 频道
形式 二 后面的-至-后面的 二极管 和 阻止
频道 传导 (图示3a). 如果 一个 电压 是
应用 在 这 s 和 d regions, 仅有的 一个
小 接合面 泄漏 电流 将 流动.
这 硅 oxide insulation 呈现 在
门 和 源 形式 一个 小 电容 那
accumulates 承担.
如果 这 门-至-源 潜在的 (v
GS
) 是 制造
积极的, 这 电容的 效应 attracts electrons
至 这 频道 范围 immediately 调整 至 门
oxide. 作 v
GS
增加, 这 electron 密度 在
这 频道 将 超过 这 孔 密度, 和 这
频道 将 变为 一个 n-类型 区域. 作 这
频道 conductivity 是 增强, 这 n-n-n
结构 变为 一个 简单的 硅 电阻
通过 这个 电流 能 容易地 流动 在 也
方向.
图示 4 显示 典型 偏置 为 ±10 v 相似物
信号 处理. 便条那 这 流 是
Asymmetrical
结构
Insulated
门
保护
齐纳
增强
模式 n-频道
源
身体
流
门
图示 1. dmos 电的 系统
源 门 流
身体
Oxide
频道
n+
p-
p
n+
图示 2. 交叉 sectional 视图 的 一个 idealized
dmos 结构
G
C
GD
C
GS
+
DS
B
G
C
GD
DS
B
C
GS
+
r
ds(在)
图示 3. equivalent 电路
(b) 在 状态(一个) 止 状态
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