2004-02-11
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sdp04s60, sdd04s60
SDT04S60
最终 数据
硅 carbide 肖特基 二极管
•
worlds 第一 600v 肖特基 二极管
•
revolutionary 半导体
材料 - 硅 carbide
•
切换 行为 benchmark
•
非 反转 恢复
•
非 温度 影响 在
这 切换 行为
•
完美的 二极管 为 电源 因素
纠正 向上 至 800w
1)
•
非 向前 恢复
产品 summary
V
RRM
600
V
Q
c
13 nC
I
F
4 一个
p-to220-2-2. p-to252-3-1. p-to220-3-1.
管脚 1 管脚 2 管脚 3
n.c. C 一个
类型 包装 订货 代号
SDP04S60 p-to220-3-1. q67040-s4369
SDD04S60 p-to252-3-1. q67040-s4368
SDT04S60 p-to220-2-2. q67040-s4445
标记
D04S60
D04S60
D04S60
n.c. 一个 C
C 一个
最大 比率
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
持续的 向前 电流,
T
C
=100°C
I
F
4 一个
rms 向前 电流
,
f
=50
Hz
I
FRMS
5.6
surge 非 repetitive 向前 电流, sine halfwave
T
C
=25°c,
t
p
=10ms
I
FSM
12.5
repetitive 顶峰 向前 电流
T
j
=150°c,
T
C
=100°c,
D
=0.1
I
FRM
18
非 repetitive 顶峰 向前 电流
t
p
=10µs,
T
C
=25°C
I
FMAX
40
i
2
t
值
,
T
C
=25°c,
t
p
=10ms
∫
i
2
d
t
0.78
A²s
repetitive 顶峰 反转 电压
V
RRM
600 V
surge 顶峰 反转 电压
V
RSM
600
电源 消耗
,
T
C
=25°C
P
tot
36.5 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55... +175
°C
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