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资料编号:602906
 
资料名称:SDT04S60
 
文件大小: 280.47K
   
说明
 
介绍:
Silicon Carbide Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-02-11
页 2
sdp04s60, sdd04s60
SDT04S60
最终 数据
热的 特性
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 4.1 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
smd 版本, 设备 在 pcb:
p-to263-3-2: @ 最小值 footprint
p-to263-3-2: @ 6 cm
2
冷却 范围
2)
p-to252-3-1: @ 最小值 footprint
p-to252-3-1: @ 6 cm
2
冷却 范围
2)
R
thJA
-
-
-
-
-
35
-
-
62
-
75
50
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
二极管 向前 电压
I
F
=4a,
T
j
=25°C
I
F
=4a,
T
j
=150°C
V
F
-
-
1.7
2
1.9
2.4
V
反转 电流
V
R
=600v,
T
j
=25°C
V
R
=600v,
T
j
=150°C
I
R
-
-
15
40
200
1000
µA
1
ccm,
V
= 85vac,
T
j
= 150°c,
T
C
=100°c,
η
= 93%,
I
= 30%
2
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
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