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资料编号:602906
 
资料名称:SDT04S60
 
文件大小: 280.47K
   
说明
 
介绍:
Silicon Carbide Schottky Diode
 
 


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2004-02-11
页 4
sdp04s60, sdd04s60
SDT04S60
最终 数据
1 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
W
40
P
tot
2 二极管 向前 电流
I
F
=
f
(
T
C
)
参数:
T
j
175 °c
0 20 40 60 80 100 120 140
°C
180
T
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
一个
4.5
I
F
4 典型值 向前 电源 消耗 vs.
平均 向前 电流
P
f(av)
=
f
(
I
F
)
T
C
=100°c,
d
=
t
p
/
T
0 1 2 3 4 5
一个
7
I
f(av)
0
2
4
6
8
10
12
14
W
18
P
f(av)
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
3 典型值 向前 典型的
I
F
=
f
(
V
F
)
参数:
T
j
, t
p
= 350 µs
0 0.5 1 1.5 2 2.5
V
3.5
V
F
0
1
2
3
4
5
6
一个
8
I
F
-40°c
25°C
100°C
125°C
150°C
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