SDT04S60_集成电路资料查询网

2004-02-11
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sdp04s60, sdd04s60
SDT04S60
最终 数据
5 典型值 反转 电流 vs. 反转 电压
I
R
=
f
(
V
R
)
100 200 300 400
V
600
V
R
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
µA
I
R
25°C
100°C
125°C
150°C
6 瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数 :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
SDP04S60
Z
thJC
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
8 典型值
C
贮存 活力
E
C
=
f
(
V
R
)
0 100 200 300 400
V
600
V
R
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
µJ
2
E
C
7 典型值 电容 vs. 反转 电压
C
=
f
(
V
R
)
参数:
T
C
= 25 °c,
f
= 1 mhz
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
R
0
25
50
75
pF
125
C

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2004-02-11 页 5 sdp04s60, sdd04s60 SDT04S60 最终数据 5 典型值反转电流 vs. 反转电压 I R = f ( V R ) 100 200 300 400 V 600 V R -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 µA I R 25°C 100°C 125°C 150°C 6 瞬时热的阻抗 Z thJC = f ( t p ) 参数 : D = t p / T 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 0 s t p -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 k/w SDP04S60 Z thJC 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50 8 典型值 C 贮存活力 E C = f ( V R ) 0 100 200 300 400 V 600 V R 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 µJ 2 E C 7 典型值电容 vs. 反转电压 C = f ( V R ) 参数: T C = 25 °c, f = 1 mhz 10 0 10 1 10 2 10 3 V V R 0 25 50 75 pF 125 C

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