sfh 2030
sfh 2030 f
半导体 组 444
Halbwinkel
half 角度
ϕ±
20
±
20 Grad
deg.
dunkelstrom,
V
R
= 20 v
dark 电流
I
R
1 (
≤
5) 1 (
≤
5) nA
spektrale fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
谱的 敏锐的
S
λ
0.62 0.59 一个/w
quantenausbeute,
λ
= 850 nm
quantum yield
η
0.89 0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
打开-电路 电压
E
v
= 1000 ix, normlicht/标准 明亮的 一个,
T
= 2856 k
E
e
= 0.5 mw/cm
2
,
λ
= 950 nm
V
L
V
L
420 (
≥
350)
–
–
370 (
≥
300)
mV
mV
Kurzschlu
β
strom
短的-电路 电流
E
v
= 1000 ix, normlicht/标准 明亮的 一个,
T
= 2856 k
E
e
= 0.5 mw/cm
2
,
λ
= 950 nm
I
K
I
K
80
–
–
25
µ
一个
µ
一个
anstiegs und abfallzeit des fotostromes
上升 和 下降 时间 的 这 photocurrent
R
L
= 50 k
Ω;
V
R
= 20 v;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µ
一个
t
r
,
t
f
55 ns
Durchla
β
spannung,
I
F
= 80 毫安,
E
= 0
向前 电压
V
F
1.3 1.3 V
kapazität,
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz,
E
= 0
电容
C
0
11 11 pF
temperaturkoeffizient von
V
L
温度 系数 的
V
L
TC
V
–2.6 –2.6 mv/k
temperaturkoeffizient von
I
k,
温度 系数 的
I
K
normlicht/标准 明亮的 一个
λ
= 950 nm
TC
I
0.18
–
–
0.2
%/k
rauschäquivalente strahlungsleistung
噪音 相等的 电源
V
R
= 10 v,
λ
= 850 nm
NEP
2.9 x 10
–14
2.9 x 10
–14
W
√
Hz
nachweisgrenze,
V
R
= 20 v,
λ
= 850 nm
发现 限制
D* 3.5 x 10
12
3.5 x 10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(t
一个
= 25
o
c)
特性
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
值
Einheit
单位
sfh 2030 sfh 2030 f
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