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资料编号:606978
资料名称:
SGW25N120
文件大小: 380.2K
说明
:
介绍
:
Fast IGBT in NPT-technology
: 点此下载
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5
6
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9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SGW25N120
电源 半导体
8jul-02
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC
100nC
200nC
300nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=960V
C
,
电容
0V
10V
20V
30V
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
门 承担
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
= 25a)
图示 18. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
t
sc
,
短的 电路 承受 时间
10V
11V
12V
13V
14V
15V
0
µ
s
5
µ
s
10
µ
s
15
µ
s
20
µ
s
25
µ
s
30
µ
s
I
c(sc)
,
短的 电路 集电级 电流
10V
12V
14V
16V
18V
20V
0A
100A
200A
300A
400A
500
一个
V
GE
,
门
-
发射级 电压
V
GE
,
门
-
发射级 电压
图示 19. 短的 电路 承受 时间 作 一个
函数 的 门-发射级 电压
(
V
CE
= 1200v, 开始 在
T
j
= 25
°
c)
图示 20. 典型 短的 电路 集电级
电流 作 一个 函数 的 门-发射级 电压
(100v
≤
V
CE
≤
1200v,
T
C
= 25
°
c,
T
j
≤
150
°
c)
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